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Littelfuse双向瞬态抑制二极管阵列 可提供稳定的超低电容
2019-05-08 00:00:00
达到AEC-Q101标准的器件性能超越基于聚合物的技术或放电器
中国，北京，2019年5月8日讯 - - Littelfuse， Inc.，今天宣布推出两个系列的双向瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管），用于在PCB布局尤其具有挑战性的应用中保护超高速消费电子产品接口免受破坏性静电放电（ESD）的损坏。 SP3208系列中的第一款瞬态抑制二极管阵列SP3208-01UTG经过机械优化，可提供稳定的超低电容（标称值为0.08 pF）。 第一款SP3213系列器件SP3213-01UTG则可提供具有较高成本效益的ESD保护解决方案。
SP3208和SP3213系列瞬态抑制二极管阵列
两款“超低电容ESD保护”器件均符合AEC-Q101标准，并采用相同的座模，可安全吸收±12 kV的重复ESD震击而不会影响性能，并可安全耗散2A的8/20μs浪涌电流。
SP3208和SP3213系列瞬态抑制二极管阵列的典型应用包括：
- 超高速数据线路和接口，例如USB 3.2、3.1、3.0、2.0、HDMI 2.1. 2.0、1.4a、1.3、DisplayPort™、Thunderbolt和V-by-One®，
- 低功率天线端口
- 消费类、移动及便携式电子产品
- 平板电脑和带有高速接口的外部存储设备
“不断提升的数据速率给需要保持高度信号完整性的设计工程师带来了巨大挑战。”Littelfuse瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）业务开发经理Tim Micun表示。 “相比市面上的其他ESD保护解决方案，SP3208和SP3213系列的标称电容要低50%，这有助于保持信号的完整性，并将数据丢失率降至最低。 提供超过30 GHz的传输频带，让信号完整性工程师可创造出高速的数据环境。”
SP3208和SP3213系列瞬态抑制二极管阵列提供下列关键优势：
- 低于0.1 pF基于硅的ESD保护可实现高达30 GHz的传输频带，为全世界最快的数据接口确保高度信号完整性。
- 采用内部结构增强的业内标准0201DFN封装可减少寄生电容、电感和电阻，使得这些瞬态抑制二极管阵列能够更加轻松地融入保护方案。
- 更低的寄生电容和电感可改善动态电阻性能，更快、更好地保护电路。
供货情况
SP3208和SP3213系列瞬态抑制二极管阵列提供表面贴装式µDFN-2 （0201）封装，采用15，000只装卷带封装。 您可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。
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