英飞凌和松下携手加速650V GaN功率器件的GaN技术开发

　　【2021年9月8日，德国慕尼黑和日本大阪讯】英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）和松下公司签署协议，共同开发和生产第二代（Gen2）成熟的氮化镓（GaN）技术，提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性与8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力相结合，标志着英飞凌对氮化镓功率半导体日益增长的需求的战略拓展。根据市场需求，Gen2将被开发为650V GaN HEMT。这些器件将易于使用，并提供更高的性价比，主要针对高功率和低功率SMPS应用、可再生能源、电机驱动应用等。

　　对于许多设计来说，氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。与硅MOSFET相比，氮化镓HEMT具有出色的特定动态导通电阻和更小的电容，因此更适于做高速开关。由此带来的能耗节省和系统总成本降低、可以在更高频率、更高的功率密度和整体系统效率下工作，使GaN成为对设计工程师非常有吸引力的选择。

　　英飞凌电源和传感器系统事业部总裁Andreas Urschitz表示：“除了与第1代相同的高可靠性标准外，由于转向8英寸晶圆制造，下一代客户将因晶体管更易控制以及显著改善的成本定位而受益。如同双方联合开发的第一代器件（即英飞凌的CoolGaN™和松下的X-GaN™），第二代器件将基于常闭型硅基氮化镓晶体管结构，再结合混合型漏极嵌入式栅极注入晶体管（HD-GIT）结构无可比拟的稳健性，使这些组件成为市场上的首选产品和最长期可靠的解决方案之一。”

　　松下电器工业解决方案公司工程部副主任Tetsuzo Uedai表示：“我们很高兴能扩大与英飞凌在氮化镓组件方面的伙伴关系和合作。在这种联合方式下，我们将能够以最新的创新发展为基础，提供高品质的第一代和第二代器件。”

　　供货情况

　　全新650V GaN Gen2器件计划于2023年上半年上市。

器件动态技术开发英飞凌氮化

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