Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力汽车和工业应用实现更高功率密度

　　领先的SOA和雪崩特性提高了耐用性和可靠性

　　奈梅亨，2021年5月27日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0.55 mΩ RDS（on） 40 V功率MOSFET，该器件采用高可靠性的LFPAK88封装，适用于汽车（BUK7S0R5-40H）和工业（PSMNR55-40SSH）应用。这些器件是Nexperia所生产的RDS（on） 值最低的40 V器件，更重要的是，它们提供的功率密度相比传统D2PAK器件提高了50倍以上。此外，这些新型器件还可在雪崩和线性模式下提供更高的性能，从而提高了耐用性和可靠性。

　　Nexperia产品市场经理Neil Massey评论道：“新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET将最新的高性能超结硅技术与成熟的LFPAK铜夹片技术相结合，后者因提供显著的电气性能和热性能而著称。低RDS（on）能够让我们将更多芯片封入在封装中，从而提高功率密度，缩小器件管脚尺寸。”

　　这些新型功率MOSFET的尺寸仅为8 x 8 x 1.7 mm，具有领先的线性模式/安全工作区域（SOA）特性，可在大电流条件下安全可靠地开关工作。在1 ms、20 VDS的工作条件下，由于芯片和封装的组合，SOA为35 A，而在10 ms、20 VDS的工作条件下，此时封装将起主导作用，SOA为17 A。这些数据优于竞品1.5倍至2倍。这些器件还提供最佳单脉冲雪崩额定值（EAS） 2.3 J以及超强ID电流额定值500 A，与其他竞品不同的是，该值是测量得出的极限，而非理论上的极限。

　　凭借Nexperia的8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET在尺寸和性能方面的优势，设计人员能够用一个新型LFPAK88替换两个并行老式器件，从而简化制造和提高可靠性。符合AEC-Q101标准的BUK7S0R5-40H器件提供超出车规标准要求两倍的可靠性，适合制动、助力转向、电池防反保护、e-fuse、DC-DC转换器和电机控制应用。工业PSMNR55-40SSH MOSFET适合电动工具、电器、风扇、电动自行车、滑板车和轮椅中的电池隔离、电流限制、e-fuse、电机控制、同步整流和负载开关应用。

电气性能功率密度性能更高高性能

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