功率密度

• 国产薄片激光器实现新突破

  

  国产薄片激光器实现新突破，薄片,国产,功率密度,突破,需求,激光，近年来，随着科技的不断进步和创新，国内的激光器技术得到了长足的发展。特别是在薄片激光器领域，中国科学家取得了一系列重大突破，使得国产薄片激光器在性能和应用方面实现了新的突破。薄片激光器是一种新型的激光器技术，它采用了非平衡态的薄片材料作为激光介质，通过TPS75003RHLR激光器的泵浦能量将薄片材料激发到激光发射的临界点，从而实现激光的产生。相比传统的激光器，薄片激光器具有...

  2023-12-01 10:16:00行业信息薄片 国产 功率密度

• 垂直GaN功率器件彻底改变功率半导体

  

  垂直GaN功率器件彻底改变功率半导体，器件,能力,高功率,密度,频率,功率密度，垂直GaN功率器件是一种新型的SN75240PWR功率半导体器件，它具有比传统功率半导体器件更高的功率密度、更高的开关频率和更低的导通和开关损耗。它的出现彻底改变了功率半导体器件的发展路径，为电力电子应用带来了巨大的潜力。传统的功率半导体器件主要有硅功率MOSFET和IGBT。然而，由于硅的限制，这些器件在高功率密度和高开关频率应用中存在一些局限性。垂直GaN功...

  2023-10-30 13:13:00行业信息器件 能力 高功率

• 碳化硅将引领半导体产业新潮流

  

  碳化硅将引领半导体产业新潮流，性能,格局,抗辐射,功率密度,器件,市场，碳化硅（SiC）是一种新兴的半导体材料，具有许多优越的特性，被认为将引领半导体产业的新潮流。本文将探讨碳化硅的特性、应用领域以及其对半导体产业的影响。碳化硅是一种化合物材料，由碳和硅元素组成。它具有许多优越的特性，使其在半导体领域具有巨大的潜力。首先，碳化硅具有较高的热导率，能够在高温环境下工作。相比之下，传统的硅材料在高温下容易发生热失控，限制了其在高温应用中的使用。...

  2023-07-31 18:02:00行业信息性能 格局 抗辐射

• 三相PFC转换器如何大幅提高车载充电器的充电功率？

  

  三相PFC转换器如何大幅提高车载充电器的充电功率？，频率,控制策略,转换,功率密度,器件,输入，要大幅提高车载充电器的充电功率，可以采用三相功率因数校正（Power Factor Correction，简称PFC）转换器。三相PFC转换器可以提高功率因数，减小谐波污染，提高能量利用率，从而提高充电功率。一、三相PFC转换器的工作原理三相PFC转换器是一种特殊的直流-直流（DC-DC）转换器，它将交流电源转换为NCP1654BD65R2G直流...

  2023-07-24 18:14:00行业信息频率 控制策略 转换

• 平面变压器有利于DC/DC转换器设计

  

  平面变压器有利于DC/DC转换器设计，平面,传输,变换,布局,转换,功率密度，平面变压器EP1C12F256C8N是一种特殊的变压器结构，其特点是将传统的线圈绕绕式变压器的绕线方式改为平面绕线，将线圈平铺于同一平面上，从而在节省空间的同时提高了功率密度和效率。平面变压器广泛应用于各种电源电路中，尤其适用于DC/DC转换器的设计。DC/DC转换器是一种将直流电能转换为不同电压级别的电力转换设备。它通过变换电压、改变电流大小和改变电流方向等方式...

  2023-07-15 17:35:00行业信息平面 传输 变换

• 动力电池和储能电池有什么区别

  

  动力电池和储能电池有什么区别，电网,释放,功率密度,车辆,速率,单位，动力电池和储能电池是两种不同类型的电池，它们在电池结构、化学反应、性能指标和应用领域等方面存在一些区别。下面将详细介绍这两种电池的区别。一、电池结构和化学反应1、动力电池：动力电池主要用于提供电动车辆的动力，因此其结构设计更加注重功率密度和充放电速率。常见的动力电池类型包括锂离子电池、镍氢电池和2N7002-7-F铅酸电池等。动力电池通常采用大电流充放电，因此需要具备高的...

  2023-07-11 13:40:00行业信息电网 释放 功率密度

• 家电电机驱动应用——SiC功率器件带来更高能效和功率密度

  

  家电电机驱动应用——SiC功率器件带来更高能效和功率密度，器件，英飞凌，功率密度，效和，等级，过去数十年，各种能源法规都强调了制造节能型产品的重要性。这大大促进了节能降耗[1]。此外，这些法规和标准为利用诸如SiC MOSFET等新技术优异的特性，设计出更富创新性的家用电器铺平了道路[2]。采用这些技术有助于制造商获得最高能效等级认证。 文：英飞凌科技Konstantinos Patmanidis、Stefano Ruzza、Claudio Villani引言不久前，英飞凌推出了一款新开发的高级集成功率器...

  2023-06-30 00:00:00百科器件 英飞凌 功率密度

• VE-TracIGBT和碳化硅(SiC)如何延长电动车续航能力的模块？

  

  VE-TracIGBT和碳化硅(SiC)如何延长电动车续航能力的模块？，模块,用于,损耗,里程,功率密度,逆变器，主驱动逆变器是连接电池和主驱动电机的电动汽车的核心。主驱动逆变器通常包含三个半桥元件，每个半桥元件由一对半桥元件组成MOSFET或IGBT组成，称为上桥和下桥开关。IGBT它一直是主驱动逆变器应用的首选设备，因为它可以处理高电压、快速开关、带来高能效工作，满足汽车行业具有挑战性的成本目标。有限的耐力“里程焦虑”这是许多消费者使用...

  2023-06-08 00:53:00行业信息模块 用于 损耗

• TPS631000是1.5A 输出电流、高功率密度升降压转换器

  

  TPS631000是1.5A 输出电流、高功率密度升降压转换器，功率密度,解决方案,频率,降压,输出,负载，产品详情描述：TPS631000 是一款恒定频率峰值电流模式控制降压-升压转换器。该器件具有 3A 峰值电流限制（典型值）和 1.6V 至 5.5V 输入电压范围。TPS631000 为系统预稳压器和ADS7808UB稳压器提供电源解决方案。根据输入电压，当输入电压大约等于输出电压时，TPS631000 会自动在升压、降压或 3 周期...

  2023-06-08 00:53:00行业信息功率密度 解决方案 频率

• Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计，该方案采用了高性能TO-220封装氮化镓功率管

  

  Transphorm发布紧凑型240瓦电源适配器参考设计，该方案采用了高性能TO-220封装氮化镓功率管，方案,参考,封装,功率密度,转换,系统，加州戈利塔--2023年1月13日--(美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化镓(GAN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日宣布推出新的240瓦电源适配器参考设计。TDAIO-TPH-ON-240W型号">240W型号">240W型...

  2023-06-07 23:50:00行业信息方案 参考 封装

• 如何利用GaN的带宽和功率密度优势对抗RCIED

  

  如何利用GaN的带宽和功率密度优势对抗RCIED，功率密度,带宽,系统,信号,输出,发射，RCIED（Roadside Improvised Explosive Device）是一种常见的恐怖主义武器，通常由恐怖分子制造和布置在道路旁边，以炸毁经过的车辆和人员。RCIED使用远程控制器或无线电信号引爆，因此需要对抗其发射的无线电信号。传统的对抗RCIED的方法是使用电子干扰器（IED），它能够干扰RCIED发射的无线电信号，从而阻止它被引爆...

  2023-06-07 22:35:00行业信息功率密度 带宽 系统

• 什么是R型变压器，R型变压器和环形变压器有哪些区别？

  

  什么是R型变压器，R型变压器和环形变压器有哪些区别？，有哪些,较好,分配,功率密度,高压,输出，R型变压器是一种具有特殊设计的变压器，其名称源自于其形状类似于字母“R”。它是一种高性能的BSS123LT1G变压器，主要用于电力系统中的高压电网，以及工业和商业领域中的各种电力设备。R型变压器具有一系列独特的设计特点和优势，使其在电力传输和分配中具有重要的作用。一、原理R型变压器的工作原理与普通变压器相同，即利用电磁感应的原理来变换电压和电流。...

  2023-06-07 22:20:00电子技术有哪些 较好 分配

• 采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机

  

  采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机，封装，功率密度，增强，英飞凌，提高效率，“引言”近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 文：英飞凌科技高级应用工程师Jorge Cerezo 逆变焊机通常是通过功率模块解决方案设计来实现更高输出功率，从而帮助降低...

  2023-05-23 00:00:00百科封装 功率密度 增强

• 氮化镓+碳化硅的未来：纳微发布7大全球行业应用展望，全面加速Electrify Our World™

  

  氮化镓+碳化硅的未来：纳微发布7大全球行业应用展望，全面加速Electrify Our World™，高频，功率密度，行业，性能，美元，GaN+SiC=每年200亿美元的市场规模？是的！众所周知，第三代半导体（以氮化镓GaN和碳化硅SiC为主），凭借在电子迁移率、功率密度、热稳定性等方面具有优异的性能，可以用于制造高效、高速、高温、高频的电子器件，成为了替代传统硅，为电力电子系统实现巨大跨越的理想材料。而随着新能源、人工智能等技术的强势崛起，第三代半导体得天独厚的优势更加明显——移动电子、轨道交通、电动汽...

  2023-05-12 00:00:00百科高频 功率密度 行业

• 郝跃院士：功率密度与辐照问题是氮化物半导体的两大挑战

  

  郝跃院士：功率密度与辐照问题是氮化物半导体的两大挑战，功率密度,半导体,毫米波，功率密度,失效,器件,科学研究，郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。" /...

  2023-04-26 10:21:00行业信息功率密度 失效 器件

• 高度定制化的AGV市场，锂电池厂商如何“突围”

  

  高度定制化的AGV市场，锂电池厂商如何“突围”，AGV,锂电池,磷酸铁锂，市场,功率密度,寿命长,行业，近年来，磷酸铁锂和三元电池因体积小、续航高正在不断取代传统的铅酸电池。因此，现阶段主流应用在AGV/AMR上的是以磷酸铁锂、三元电池等组成的车载蓄电池组。锂离子电池具有能量密度高，功率密度高、寿命长、环保等特点，在AGV行业中的应用比例逐年提高。" /...

  2023-04-20 11:45:00行业信息市场 功率密度 寿命长

• InnoSwitch4-Pro第四代InnoSwitch技术

  

  InnoSwitch4-Pro第四代InnoSwitch技术，集成电源,高效率,功率密度,损耗,应用场景，InnoSwitch4-Pro是PowerIntegrations推出的一款高效率、高可靠性的集成电源解决方案。它采用了第四代InnoSwitch技术，具有更高的功率密度、更低的能量损耗和更高的系统可靠性，适用于各种应用场景。InnoSwi...

  2023-04-19 14:33:01电子技术集成电源 高效率 功率密度

• InnoSwitch4-Pro第四代InnoSwitch技术

  

  InnoSwitch4-Pro第四代InnoSwitch技术，集成电源,高效率,功率密度,损耗,应用场景，InnoSwitch4-Pro是PowerIntegrations推出的一款高效率、高可靠性的集成电源解决方案。它采用了第四代InnoSwitch技术，具有更高的功率密度、更低的能量损耗和更高的系统可靠性，适用于各种应用场景。InnoSwi...

  2023-04-19 14:33:01电子技术集成电源 高效率 功率密度

• 最新封装技术高压MOSFET晶体管IPW65R080CFDA

  

  最新封装技术高压MOSFET晶体管IPW65R080CFDA，封装,高压,功率密度,性能,传输，IPW65R080CFDA是一种高压MOSFET晶体管，采用了最新的封装技术，具有更小的封装尺寸和更高的功率密度，可以在各种高电流应用中发挥出色的性能。该晶体管具有非常低的导通电阻，只有0.08欧姆，可以在高电流下提供更高效的电能传输。还具...

  2023-04-19 08:13:54电子技术封装 高压 功率密度

• 最新N沟道MOSFET晶体管IPD100N04S4-02

  

  最新N沟道MOSFET晶体管IPD100N04S4-02，封装,性能,功率密度,晶体管,沟道，IPD100N04S4-02是一款最新的N沟道MOSFET晶体管，具有高电流、低电阻和高速性能。该晶体管采用了最新的封装技术，具有更小的封装尺寸和更高的功率密度，可以在各种高电流应用中发挥出色的性能。该晶体管具有非常低的导通电阻，只有0.0...

  2023-04-19 08:09:55电子技术封装 性能 功率密度

• InnoSwitch4-Pro第四代InnoSwitch技术

  

  InnoSwitch4-Pro第四代InnoSwitch技术，集成电源,高效率,功率密度,损耗,应用场景，InnoSwitch4-Pro是PowerIntegrations推出的一款高效率、高可靠性的集成电源解决方案。它采用了第四代InnoSwitch技术，具有更高的功率密度、更低的能量损耗和更高的系统可靠性，适用于各种应用场景。InnoSwi...

  2023-04-19 14:33:01电子技术集成电源 高效率 功率密度

• InnoSwitch4-Pro第四代InnoSwitch技术

  

  InnoSwitch4-Pro第四代InnoSwitch技术，集成电源,高效率,功率密度,损耗,应用场景，InnoSwitch4-Pro是PowerIntegrations推出的一款高效率、高可靠性的集成电源解决方案。它采用了第四代InnoSwitch技术，具有更高的功率密度、更低的能量损耗和更高的系统可靠性，适用于各种应用场景。InnoSwi...

  2023-04-19 14:33:01电子技术集成电源 高效率 功率密度

• 最新封装技术高压MOSFET晶体管IPW65R080CFDA

  

  最新封装技术高压MOSFET晶体管IPW65R080CFDA，封装,高压,功率密度,性能,传输，IPW65R080CFDA是一种高压MOSFET晶体管，采用了最新的封装技术，具有更小的封装尺寸和更高的功率密度，可以在各种高电流应用中发挥出色的性能。该晶体管具有非常低的导通电阻，只有0.08欧姆，可以在高电流下提供更高效的电能传输。还具...

  2023-04-19 08:13:54电子技术封装 高压 功率密度

• 最新N沟道MOSFET晶体管IPD100N04S4-02

  

  最新N沟道MOSFET晶体管IPD100N04S4-02，封装,性能,功率密度,晶体管,沟道，IPD100N04S4-02是一款最新的N沟道MOSFET晶体管，具有高电流、低电阻和高速性能。该晶体管采用了最新的封装技术，具有更小的封装尺寸和更高的功率密度，可以在各种高电流应用中发挥出色的性能。该晶体管具有非常低的导通电阻，只有0.0...

  2023-04-19 08:09:55电子技术封装 性能 功率密度