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功率密度

  • 英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET功率模块,助力提升功率密度和实现更紧凑的设计

    英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET功率模块,助力提升功率密度和实现更紧凑的设计

    英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET功率模块,助力提升功率密度和实现更紧凑的设计,模块,英飞凌,功率密度,提升,推出,  近日,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。该器件采用半桥配置, EasyDUAL 1B封装的导通电阻(R DS(on))为11 mΩ,EasyDUAL 2B封装的导通电阻(R DS(on))为6 mΩ。升级为高性能AI...

    2021-08-06 00:00:00百科模块 英飞凌 功率密度

  • Dialog推出用于高功率密度PSU的零电压开关技术,扩充AC/DC产品组合

    Dialog推出用于高功率密度PSU的零电压开关技术,扩充AC/DC产品组合

    Dialog推出用于高功率密度PSU的零电压开关技术,扩充AC/DC产品组合,用于,推出,功率密度,密度,扩充,创新的零电压开关芯片组以行业最低的BOM成本实现100W+功率级别PSU且尺寸缩小50%。中国北京,2021年7月5日 – 领先的电池和电源管理、Wi-Fi、低功耗蓝牙(BLE)、工业边缘计算解决方案供应商Dialog半导体公司(德国证券交易所交易代码:DLG)今天宣布,推出创新数字零电压开关(ZVS)芯片组,可实现100W及以上高功率密度(HPD)的电源(PSU),尺寸比传统高功率PSU缩小3...

    2021-07-05 00:00:00百科用于 推出 功率密度

  • 安森美半导体在APEC 2021发布工业电机驱动的集成方案

    安森美半导体在APEC 2021发布工业电机驱动的集成方案

    安森美半导体在APEC 2021发布工业电机驱动的集成方案,方案,功率密度,封装,集成,半导体,  强固的压铸模模块简化紧凑的电机驱动设计  2021年6月15日—推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出新的、集成的、转换器-逆变器-功率因数校正 (PFC) 模块,用于在工业电机驱动、伺服驱动和暖通空调 (HVAC) 中驱动风扇和泵等应用的电机。   新的NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG分别是基于标准氧化铝 (AI2O...

    2021-06-15 00:00:00百科方案 功率密度 封装

  • Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力汽车和工业应用实现更高功率密度

    Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力汽车和工业应用实现更高功率密度

    Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力汽车和工业应用实现更高功率密度,电气性能,功率密度,性能,更高,高性能,  领先的SOA和雪崩特性提高了耐用性和可靠性  奈梅亨,2021年5月27日:基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0.55 mΩ RDS(on) 40 V功率MOSFET,该器件采用高可靠性的LFPAK88封装,适用于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)应用。这些器件是Nexperia所生产的RDS(on) 值最低的40...

    2021-05-27 00:00:00百科电气性能 功率密度 性能

  • GaN和SiC功率半导体市场有望在2027年达45亿美元

    GaN和SiC功率半导体市场有望在2027年达45亿美元

    GaN和SiC功率半导体市场有望在2027年达45亿美元,GaN,SiC,功率半导体,美元,市场,复合,功率密度,GaN和SiC功率半导体市场有望在2027年达45亿美元-全球范围内5G技术的迅猛发展,为氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率半导体制造商提供新的增长前景。2020年,GaN和SiC功率半导体市场规模为7亿美元,预计2021年至2027年的复合年增长率将超过30%。   根据进行的一项研究,新型材料半导体的特点是尺寸小且功率密...

    2021-05-21 14:57:00行业信息美元 市场 复合

  • 450-550W高功率密度AC/DC医疗电源——LOF系列

    450-550W高功率密度AC/DC医疗电源——LOF系列

    450-550W高功率密度AC/DC医疗电源——LOF系列,升级,产品,推出,功率密度,平台,  一、产品介绍  针对医疗行业市场对高功率段电源的需求,金升阳进行AC/DC平台升级,完善高功率段医疗电源产品,推出450W/550W的LOF系列产品,为客户提供更高功率的选择。LOF系列医疗电源保持高功率密度优势,LOF450系列体积仅127mm × 76.2mm × 38.5mm(1.2W / cm³),LOF550系列体积仅127mm × 76.2mm × 40.5mm(1.4W / cm³)。该系列医疗...

    2021-05-08 00:00:00百科升级 产品 推出

  • 1000W高功率密度AC/DC机壳开关电源,解决大功率市场需求——LMF1000-20Bxx系列

    1000W高功率密度AC/DC机壳开关电源,解决大功率市场需求——LMF1000-20Bxx系列

    1000W高功率密度AC/DC机壳开关电源,解决大功率市场需求——LMF1000-20Bxx系列,开关电源,功率密度,推出,机壳,市场需求,根据市场需求,金升阳拓宽机壳开关电源功率段,本次推出最新千瓦级大功率机壳电源——LMF1000-20B系列,现机壳开关电源功率段已拓宽至15-1000W,满足多样应用场景对功率的不同需求。该系列具有小体积(190*127*40.5mm)、高功率密度、智能风控,可并联升功率等特点,满足IEC/UL/EN62368, GB4943, IEC/ES/EN60601等标准,可...

    2021-05-07 00:00:00百科开关电源 功率密度 推出

  • Vishay推出全球领先的汽车级80V P沟道MOSFET,以提高系统能效和功率密度

    Vishay推出全球领先的汽车级80V P沟道MOSFET,以提高系统能效和功率密度

    Vishay推出全球领先的汽车级80V P沟道MOSFET,以提高系统能效和功率密度,功率密度,效和,器件,系统,占位,器件采用欧翼引线结构PowerPAK® SO-8L小型封装具有业界出色FOM并获得AEC-Q101认证宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年4月7日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Sili...

    2021-04-07 00:00:00百科功率密度 效和 器件

  • 杰华特联合英诺赛科推出120W升级方案,打造大功率高端标配

    杰华特联合英诺赛科推出120W升级方案,打造大功率高端标配

    杰华特联合英诺赛科推出120W升级方案,打造大功率高端标配,方案,升级,功率密度,诺赛,推出,当前,高功率快充标配在市场上受到不少关注,不久前努比亚为其新品红魔游戏手机标配的正是120W快充方案(内置InnoGaN INN650D02)。近日杰华特与英诺赛科联合推出升级版120W快充方案,基于杰华特ACF控制器JW1550和英诺赛科产品INN650D01+INN650D02A,在高功率快充方案上全面升级,打造120W快充高端标配。120W方案介绍一.高频设计,实现体积小型化采用杰华特ACF控制器,能实现全...

    2021-03-29 00:00:00百科方案 升级 功率密度

  • Vishay推出的新款microBUCK® 稳压器可提高功率密度和瞬变响应能力

    Vishay推出的新款microBUCK® 稳压器可提高功率密度和瞬变响应能力

    Vishay推出的新款microBUCK® 稳压器可提高功率密度和瞬变响应能力,功率密度,封装,能力,响应,损耗,  器件符合PMBus 1.3电源系统管理标准,简化POL转换器设计  宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年3月24日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出新型15 A、25 A和 40 A系列器件---SiC45x系列,扩充其microBUCK® 同步降压稳压器,新型器件采用热增强5 mm x 7 mm PowerPAK®...

    2021-03-24 00:00:00百科功率密度 封装 能力

  • 森国科推出多款快充PFC电路专用碳化硅二极管(SiC JBS)

    森国科推出多款快充PFC电路专用碳化硅二极管(SiC JBS)

    森国科推出多款快充PFC电路专用碳化硅二极管(SiC JBS),功率密度,产品,推出,专用,封装,碳化硅二极管作为第三代半导体功率器件,在大功率开关电源的PFC级得到了大规模的应用。碳化硅二极管与氮化镓MOS在快充电路中配套使用,可以将PFC升压的开关频率从不到100KHz提升到300KHz,由此减小升压电感的体积,得以实现高功率密度的设计,效率也得到了大幅度的提升,赋能大功率快充电源产品的核心竞争力。因此,碳化硅二极管在消费类电源领域的关注度越来越高。森国科针对大功率快充推出了两款碳化硅二极管,赋能高功...

    2021-03-10 00:00:00百科功率密度 产品 推出

  • 为什么嵌入式系统需要很多电源轨?

    为什么嵌入式系统需要很多电源轨?

    为什么嵌入式系统需要很多电源轨?,嵌入式系统,微控制器,转换器,嵌入式系统,数量,电磁干扰,功率密度,为什么嵌入式系统需要很多电源轨?-随着电子设备的集成度越累越高、使用数量越来越多,设计人员不断面临着提高效率,同时降低成本、减小尺寸和电磁干扰 (EMI) 的压力。虽然电源在功率密度和效率方面也有所提高,但设计人员现在还面临着为异构处理架构开发多轨电源解决方案的难题,这些架构可能由 ASIC、DSP、FPGA 和微控制器组成。"...

    2021-02-14 09:40:00行业信息嵌入式系统 数量 电磁干扰

  • 解析LED显示屏电源发展新趋势

    解析LED显示屏电源发展新趋势

    解析LED显示屏电源发展新趋势,led,显示屏,电源,高效率,输入输出,会越,功率密度,解析LED显示屏电源发展新趋势-“LED显示屏电源未来的发展方向一定是向着高PF值,高效率、多重输入输出保护,EMC标准等方向发展。”索斯力德销售总监陈豪杰认为,显示屏电源的体积会越来越小,功率密度会越来越高,可靠性不断提升。"...

    2020-12-24 15:38:00行业信息高效率 输入输出 会越

  • 伟创力BMR491转换器业界最高功率密度的数字DC/DC隔离转换器

    伟创力BMR491转换器业界最高功率密度的数字DC/DC隔离转换器

    伟创力BMR491转换器业界最高功率密度的数字DC/DC隔离转换器,转换器,接口,数据中心,数字,功率密度,业界,接口,伟创力BMR491转换器业界最高功率密度的数字DC/DC隔离转换器-伟创力电源模块(Flex Power Modules)现已在其带内置数字接口的BMR491系列高密度DC/DC转换器中加入一种新器件。这款最新的BMR491转换器可在长达1s的时间内提供2450W峰值功率,并具有高达1540W的额定连续输出功率,因此成为了...

    2020-12-10 11:32:00行业信息数字 功率密度 业界

  • Silanna Semiconductor专注电源管理挑战 推出行业领先的DC-DC转换器系列

    Silanna Semiconductor专注电源管理挑战 推出行业领先的DC-DC转换器系列

    Silanna Semiconductor专注电源管理挑战 推出行业领先的DC-DC转换器系列,推出,功率密度,电源管理,行业,加利福尼亚州,Silanna Semiconductor推出可提供最高效率和功率密度的DC-DC转换器系列,并具有前所未有的小尺寸和低成本最新发布的DC-DC产品系列能够实现行业领先的颠覆性降压稳压器2020年11月18日,美国加利福尼亚州圣地亚哥 – 全球功率密度技术领导者Silanna Semiconductor今天宣布推出针对USB-PD应用的最新系列宽电压、高...

    2020-11-19 00:00:00百科推出 功率密度 电源管理

  • 重磅发布!TI发布首款汽车级GaN FET:功率密度翻倍,效率达99%!

    重磅发布!TI发布首款汽车级GaN FET:功率密度翻倍,效率达99%!

    重磅发布!TI发布首款汽车级GaN FET:功率密度翻倍,效率达99%!,汽车级GaN FET,TI,功率密度,ADAS,功率密度,突破,调研,机构,(电子发烧友网报道 文/章鹰)近日,著名调研机构Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半导体报告》显示,在混合动力及电动汽车、电源和光伏逆变器需求的拉动下,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的新兴市场预计在 2021 年突破 10 亿美元。 氮化镓是一种宽能隙半导体材...

    2020-11-18 09:40:00行业信息功率密度 突破 调研

  • Maxim Integrated推出业界最小的四路输出SIMO电源管理IC,将功率密度提高85%

    Maxim Integrated推出业界最小的四路输出SIMO电源管理IC,将功率密度提高85%

    Maxim Integrated推出业界最小的四路输出SIMO电源管理IC,将功率密度提高85%,电源管理,业界,功率密度,输出,四路,MAX77655为便携式可穿戴设备、IoT传感器和健康监护仪提供业界最多的电源输出通道,并将方案尺寸缩减70%中国,北京—2020年11月11日—Maxim Integrated Products, Inc (NASDAQ: MXIM) 宣布推出MAX77655单电感多输出(SIMO)电源管理IC (PMIC),以最高功率密度实现新的技术突破,适用...

    2020-11-12 00:00:00百科电源管理 业界 功率密度

  • Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率

    Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率

    Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率,推出,器件,集成,功率密度,空间,节省空间的器件采用小型PowerPAIR® 3x3S封装,最大RDS(ON)导通电阻降至8.05 m,Qg为6.5 nC日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级---SiZ240DT,可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。Vi...

    2020-11-04 00:00:00百科推出 器件 集成

  • Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平,提高系统功率密度且节省能源

    Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平,提高系统功率密度且节省能源

    Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平,提高系统功率密度且节省能源,封装,器件,系统,功率密度,推出,TrenchFETâ器件典型RDS(ON)为 61 mΩ,优值系数为 854 mΩ*nC,封装面积10.89 mm²宾夕法尼亚、MALVERN — 2020 年 9 月 23 日 — 日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型...

    2020-09-23 00:00:00百科封装 器件 系统

  • Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET,可提高能效和功率密度

    Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET,可提高能效和功率密度

    Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET,可提高能效和功率密度,功率密度,损耗,效和,推出,市场,  器件采用PowerPAK® SO-8单体封装,栅极电荷与导通电阻乘积优值系数达到同类产品最佳水平。  宾夕法尼亚、MALVERN —2020年8月17日 — 日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,首度推出-30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP,10 V条件下导通电阻降至1.7...

    2020-08-17 00:00:00百科功率密度 损耗 效和

  • Maxim Integrated推出业界最小的四路输出SIMO电源管理IC,将功率密度提高85%

    Maxim Integrated推出业界最小的四路输出SIMO电源管理IC,将功率密度提高85%

    Maxim Integrated推出业界最小的四路输出SIMO电源管理IC,将功率密度提高85%,电源管理,业界,功率密度,输出,四路,MAX77655为便携式可穿戴设备、IoT传感器和健康监护仪提供业界最多的电源输出通道,并将方案尺寸缩减70%中国,北京—2020年11月11日—Maxim Integrated Products, Inc (NASDAQ: MXIM) 宣布推出MAX77655单电感多输出(SIMO)电源管理IC (PMIC),以最高功率密度实现新的技术突破,适用...

    2020-11-12 00:00:00百科电源管理 业界 功率密度

  • Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率

    Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率

    Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率,推出,器件,集成,功率密度,空间,节省空间的器件采用小型PowerPAIR® 3x3S封装,最大RDS(ON)导通电阻降至8.05 m,Qg为6.5 nC日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级---SiZ240DT,可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。Vi...

    2020-11-04 00:00:00百科推出 器件 集成

  • Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平,提高系统功率密度且节省能源

    Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平,提高系统功率密度且节省能源

    Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平,提高系统功率密度且节省能源,封装,器件,系统,功率密度,推出,TrenchFETâ器件典型RDS(ON)为 61 mΩ,优值系数为 854 mΩ*nC,封装面积10.89 mm²宾夕法尼亚、MALVERN — 2020 年 9 月 23 日 — 日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型...

    2020-09-23 00:00:00百科封装 器件 系统

  • Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET,可提高能效和功率密度

    Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET,可提高能效和功率密度

    Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET,可提高能效和功率密度,功率密度,损耗,效和,推出,市场,  器件采用PowerPAK® SO-8单体封装,栅极电荷与导通电阻乘积优值系数达到同类产品最佳水平。  宾夕法尼亚、MALVERN —2020年8月17日 — 日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,首度推出-30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP,10 V条件下导通电阻降至1.7...

    2020-08-17 00:00:00百科功率密度 损耗 效和

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