英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET功率模块，助力提升功率密度和实现更紧凑的设计

　　近日，英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝（AIN） 陶瓷。该器件采用半桥配置， EasyDUAL 1B封装的导通电阻（R DS（on））为11 mΩ，EasyDUAL 2B封装的导通电阻（R DS（on））为6 mΩ。升级为高性能AIN后，该1200 V器件适合用于高功率密度应用，包括太阳能系统、不间断电源、辅助逆变器、储能系统和电动汽车充电桩等。

　　EasyDUAL模块FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有优良的栅极氧化层可靠性最新CoolSiC MOSFET技术。由于DCB材料的热导率更高，结到散热器的热阻（R thJH）最多可以降低40%。在CoolSiC Easy模块中，该新型AIN陶瓷可帮助提高输出功率或降低结温，进而可以延长系统寿命。

　　供货情况

　　EasyDUAL CoolSiC MOSFET模块FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70现在即可订购。

模块英飞凌功率密度提升推出

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