Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级，RDS(ON)和FOM达到业界出色水平，提高功率密度和效率

节省空间的器件采用小型PowerPAIR® 3x3S封装，最大RDS（ON）导通电阻降至8.05 m，Qg为6.5 nC

日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级---SiZ240DT，可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiZ240DT在小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm单体封装中集成高边和低边MOSFET，导通电阻和导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）达到业界出色水平。

SiZ240DT中的两个TrenchFET® MOSFET内部采用半桥配置连接。SiZ240DT的通道1 MOSFET，通常用作同步降压转换器的控制开关，10 V时最大导通电阻为8.05 mΩ，4.5 V时为12.25 mΩ。通道2 MOSFET，通常用作同步开关，10 V时导通电阻为8.41 mΩ，4.5 V时为13.30 mΩ。这些值比紧随其后的竞品低16 %。结合6.9 nC（通道1）和6.5 nC（通道2）低栅极电荷，导通电阻与栅极电荷乘积FOM比位居第二的器件低14 %，有助于提高快速开关应用的效率。

日前发布的双MOSFET比采用6 mm x 5 mm封装的双器件小65 %，是目前市场上体积最小的集成产品之一。除用于同步降压，DC/DC转换半桥功率级之外，新型器件还为设计师提供节省空间的解决方案，适用于真空吸尘器、无人机、电动工具、家庭/办公自动化和非植入式医疗设备的电机控制，以及电信设备和服务器的无线充电器和开关电源。

集成式MOSFET采用无导线内部结构，最大限度降低寄生电感实现高频开关，从而减小磁器件和最终设计的尺寸。其优化的Qgd / Qgs比降低噪声，进一步增强器件的开关特性。SiZ240DT经过100 % Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

新型双MOSFET现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为12周。

推出器件集成功率密度空间

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