瑞萨电子推出新款低导通电阻MOSFET产品

瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。

此款新产品具有业界最低的0.72 mΩ（典型值、30 V）导通电阻，比瑞萨早期产品低约50%，并具备高效率与小尺寸安装面积封装（8-pin HVSON），能以较小的封装提供高电流控制，有助于节省电力及电源组件的小型化，用于大型伺服器储存系统。

以关键任务系统而言，通常会提供备援供电，亦即使用ORing FET搭配多个电源装置，以维持伺服器储存系统的高可靠性。这些ORing FET连接至各电源供应器的电源输出线路。ORing FET在正常运作时会维持导通，但若其中一个电源供应器故障时，该电源供应器的ORing FET将切换为关闭状态，以便将故障的电源供应器与其他电源供应器加以隔离，确保故障的电源供应器不会干扰系统电力。

瑞萨电子A2766149

正常运作时，电源输出线路需处理数十至数百安培的大电流。ORing FET必须具备低导通电阻特性以避免导通损耗的增加或电源电压的下降。

为因应上述需求，瑞萨以该公司的全新低导通电阻製程为基础，目前已开发叁款MOSFET产品。新款μPA2764T1A、μPA2765T1A及μPA2766T1A符合上述需求，可为电源供应装置提供领先业界的低导通电阻以及更小的外型。

新款低导通电阻功率MOSFET产品有两个特色。首先是业界最低导通电阻，新款μPA2766T1A提供业界最低的0.72 mΩ （典型值、30 V应用）导通电阻及5 mm x 6 mm小尺寸封装，其导通电阻仅约为瑞萨塬有产品的二分之一。如此可藉由降低网路伺服器及储存系统所使用之电源供应器内的ORing FET的传导损耗，提升系统整体的电源效率，这些系统也正是达成智慧型社会的关键应用。另外，还能藉由大电流来抑制电压大幅降低的情形。即使是电流波动幅度较大的电源供应器，也有可能达到高精度的电源电压。

另一特色为8-pin HVSON封装及小尺寸安装面积，支援大电流控制。8-pin HVSON封装提供低封装电阻，因为它採用金属板连结封装内的FET晶片与针脚。如此再结合FET晶片的低导通电阻，儘管封装尺寸仅有5 mm×6 mm，最高亦能控制额定电流130 A（ID （DC））的大电流。多个ORing FET并联连结至各电源供应器以提供大电流时，亦可利用最少的并联数量以协助缩小设备尺寸。

叁款新的MOSFET包括μPA2766T1A，其导通电阻额定範围为0.72 mΩ至1.05 mΩ（标準值），可提供更理想的产品选择，以符合使用者在操作电流或环境情况方面的需求。亦可让客户供应最佳产品，有助于提升电源效率并降低空间需求。

瑞萨电子计划持续强化此产品系列，继续致力于降低导通电阻并创造更小的封装以符合持续进化的客户需求。

产品推出系统伺服器电阻

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