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美高森美扩大RF功率MOSFET产品阵容
2012-06-05 00:00:00

美高森美公司(Microsemi )宣布扩大RF功率产品线,推出DRF1400功率MOSFET。该产品非常适合在广泛的工业、科学和医疗 (industrial、scientific and medical,ISM) 应用的RF产生器中使用,包括用于半导体、LCD和太阳能电池制造的电浆产生,以及工作频率高达30 MHz 的CO2雷射器。
美高森美的DRF系列产品在单一高散热性能封装中整合RF闸极驱动器、功率MOSFET和相关的旁路电容器。DRF1400採用半桥拓扑,是美高森美 DRF系列中的第一款半桥拓扑元件,在1 kW下可提供高于92%的效率。此外,低寄生电容和电感,加上施密特(Schmitt)触发器输入、卡尔文(Kelvin)讯号地线、防振铃功能、反相和同相(non-invert)选择接脚,为kW到数千瓦的高频ISM应用提供了改进的稳定性和控制功能。高整合度还可缩减材料清单(bill-of-material)元件数目和成本。其它功能包括:整合RF驱动器,可以简化驱动级设计,允许输入简单的逻辑讯号;内部旁路电容器,可以减少寄生电感并提供最稳定的电源电压;高崩溃电压(500V) MOSFET,经由半桥拓扑达成较高的功率输出;以及高散热性能专有封装,能够提供高达1.4 kW的功率。
美高森美现可提供DRF1400的工程样品,客户可从美高森美购买相关的DRF1400参考设计包(13.56 MHz, Class-D半桥)。此参考设计包提供快速推出》1kW的RF功率设计所需的所有硬体,还提供涵盖RF系统设计人员的运作基础知识和设计考量的设计指南。
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