AOS推出超薄DFN3X3封装功率MOSFET

　　日前，集设计，开发和全球销售的功率半导体供应商AOS半导体有限公司（AOS），发布了具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。

　　新的产品上应用了AOS的AlphaMOS专利技术。这些技术的好处在于它可以延长电池的使用寿命，还可以使设计变的更简单紧凑，适用于便携式产品，例如：平板电脑、智能手机，电子书、笔记本电脑、数码相机及便携式音乐播放器。

　　AON7421和AON7423是20V P沟道MOSFET，它们的RDS（ON）是目前市面上具有相同封装的同类产品中最低的。在栅极电压为2.5V时，AON7421的RDS（ON）比其它竞争者要低20%。AON7423是一款低开启门限电压的MOSFET，低至1.5V，适合应用在低电压范围的负载切换。

　　AOS低压MOS的负责人Peter Wilson介绍：“AOS长期致力于给客户提供高效能的电源解决方案。这个系列的20V P沟道AlphaMOS产品设定了高功率密度和高效能的新基准，符合了延长电池寿命的要求。”所有的产品都是无卤的而且出厂时会100%检测Rg和UIS。

图1：延长便携时产品的电池使用寿命0.8毫米厚度封装

Device Specification Table

　　关于万国半导体（AOS）：

　　Alpha and Omega Semiconductor （AOS）为集设计、开发与销售为一体的功率半导体供应商，AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的功率MOSFET和电源管理IC（Power IC）产品系列。AOS在器件物理，工艺技术，电路设计及封装设计上拥有丰富的经验。通过将这些经验整合用于产品性能以及成本控制的优化，AOS在竞争中显示出自身的特色。AOS的产品线设计的目标是满足日益增长的高产量，高效能产品的应用需求，包括手提电脑、平板电视、电池、智能手机、便携式媒体播放器、UPS、电机控制和电力供应等。

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