电装展出输出功率密度高达60kW/L的SiC逆变器

　　电装在汽车展会“人与车科技展2012”（2012年5月23～25日）上展出了输出功率密度高达60kW/L的逆变器，并公开了其性能参数等。该逆变器的体积为0.5L，输出功率为30kW时，输出功率密度为60kW/L，此时功率元件的温度为180℃左右。

　　这款逆变器还还降低了电能损失，与利用Si制IGBT的逆变器相比，电力损失可降低68％（30Arms时）。

　　该逆变器由配备SiC制功率元件的模块，以及用于驱动该功率元件的控制电路、冷却风扇以及电容器等构成。

　　逆变器模块中，晶体管采用沟道型SiC制MOSFET，二极管采用沟道型SiC制MOSFE内的体二极管。这样做是为了使模块小型化。SiC制MOSFET的耐压为1200V，导通电阻为30mΩ。芯片尺寸约为5mm见方。

　　逆变器模块内封装有供三个相位用的高侧和低侧用SiC制MOSFET。每一个相位的高侧和低侧各并联使用3枚SiC制MOSFET芯片，整个逆变器模块共有18枚芯片。

　　MOSFET约为5mm见方，每枚芯片“可流过100A的电流，但此次采用了3枚芯片共流过70A左右电流的设计”（解说员）。也就是说，每枚芯片流过23A左右的电流。

　　另外，逆变器模块的寄生电感也得以降低。

　　此次的逆变器是电装与丰田汽车及丰田中央研究所的共同研发成果。

功率密度逆变器输出芯片展会

免责声明：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。