科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破！

　　科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破，为更多大功率应用带来更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子系统成本并提升能效

　　碳化硅功率器件的市场领先者科锐公司（Nasdaq： CREE）将重新界定大功率应用的性能和能效，推出全新产品系列—50A碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700V Z-FET™碳化硅 MOSFET器件，还包括1200V Z-FET™碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec®碳化硅肖特基二极管，能够提供创纪录的能效以及比传统技术更低的拥有成本，开创了新一代电源系统。

　　

50A碳化硅功率器件为更多大功率应用带来更高效率和更低成本

　　科锐50A碳化硅功率器件采用裸芯片形式，针对太阳能功率逆变器、不间断电源设备以及电机驱动器等大功率模组应用进行设计。该类器件以更小的尺寸、更低的物料成本以及更高的效率使得电力电子工程师能够为系统拥有成本设定新的标准。

　　科锐副总裁兼功率与射频总经理Cengiz Balkas表示：“正是科锐通过不断的创新，以及科锐在碳化硅领域独创的材料技术、晶圆片工艺和器件设计，才使得这样技术突破得以实现。大尺寸的芯片能够实现更多的优势，使得碳化硅MOSFET器件能够使用在更高的功率应用中应用，从而能够取代在大功率、高电压应用领域中的低效传统硅IGBT器件。”该系列高额定碳化硅器件的推出保持了科锐在碳化硅技术屡创第一的传统，如业界第一款1200V 碳化硅MOSFET器件以及第一个量产1200V和1700V碳化硅肖特基二极管。

　　科锐全新产品系列50A碳化硅器件包括40mΩ 1700V MOSFET器件、25mΩ 1200V MOSFET器件以及50A/1700V、50A/1200V 和50A/650V肖特基二极管。该产品系列现已提供样品及基础数据表，预计2012年秋实现量产。如需索取样品及进一步了解科锐碳化硅功率器件的更多详情，敬请访问： www.cree.com/power 。

突破器件提升芯片碳化硅

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