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ADI推出SPDT开关为测试测量应用提供快速建立时间

2015-05-22 00:00:00

　　中国，北京—Analog Devices， Inc.（ADI）日前推出了一款专门用于9 KHz至13 GHz频段的吸收式单刀双掷（SPDT）开关HMC1118LP3DE，它具有48dB的高隔离度，在8 GHz条件下运行时仅有0.6dB的低插入损耗。 HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制产品组合中的第一款产品，展现了硅工艺技术的固有优势，与传统的GaAs（砷化镓）RF 开关相比具有重大明显优势。这些优势包括：建立时间比GaAs快100倍；提供强大的ESD（静电放电）保护（达到2000V，而GaAs仅为250V）；能够扩展开关的低频端，比GaAs低1000倍，同时保持高线性度。

　　HMC1118LP3DE还提供4W的业界领先RF功率处理能力，在热切换工作模式下达到0.5W。它的热切换功率处理能力超出了具有相同RF带宽的竞争器件的两倍，这使工程师能够在他们的应用和系统中提高RF功率，而不会产生器件损坏的风险。 HMC1118LP3DE专为高隔离度进行了优化，在最大13 GHz的宽工作频率范围内提供极其平坦的传递特性，同时保持最低9kHz的高信号保真度。这些特性组合在一起，使得该开关非常适合要求苛刻的测试和测量、自动化测试设备、国防电子产品、无线通信应用，充当传统 GaAs开关的更低成本替代产品。

　　HMC1118LP3DE SPDT开关的主要特性

　　非反射式50欧姆设计

　　正控制：0/+3.3 V

　　低插入损耗： 0.68dB（8GHz时）

　　高隔离度： 50dB（8GHz时）

　　9KHz的低截止频率

　　7.5微秒的快速建立时间（对于0.05 dB的最终RF输出电平）

　　业界领先的高功率处理能力：

　　35.5 dBm的通过路径

　　27 dBm端接路径和热切换应用

　　· 高线性度：

　　P1dB： +37 dBm（典型值）