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Vishay推出新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH
2010-03-23 00:00:00
Vishay推出新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08
Vishay推出具有低容值和低漏电流的新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08，可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号的损害。新的VBUS053BZ-HNH-G-08在5.5V工作电压范围内可提供3路USB ESD保护，在12V工作电压范围内提供1路VBUS保护。
VBUS053BZ-HNH-G-08采用无铅的LLP1713-9M,封装，具有0.6mm的超低外形，可在高速数据应用中减少有源ESD保护所需的电路板空间，如USB 2.0，HDTV及便携式游戏机、MP3播放器和手机等移动电子设备中的HDMI端口。
新器件的D+、D-和ID三条数据线的容值低至0.7pF，在3.3V工作电压下的最大漏电流为0.085μA，5.5V电压下的漏电流为1μA。阵列对负瞬态的最大钳位电压大于4.1V，在3A电流下，可对数据线上的正瞬态提供小于18V的钳位电压。对于VBUS线，VBUS053BZ-HNH-G-08在8A电流时的最大钳位电压为30V。
VBUS053BZ-HNH-G-08可提供per IEC 61000-4-2(ESD)规定的12kV(空气放电)和15kV(接触放电)瞬态保护，浪涌电流保护符合IEC 6100-4-5标准，可达3A。
这款无铅器件采用无卤素的模压化合物，符合RoHS 2002/95/EC和 WEEE 2002/96/EC规范。
新款USB-OTG总线端口保护阵列现可提供样品，将于2010年第一季度量产，大宗订货的供货周期为八周至十周。
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