IR推出坚固耐用的车用MOSFET系列

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出坚固耐用的车用 MOSFET系列，适合多种内燃机 (ICE) 和混合动力车平台应用。

 新系列 MOSFET 器件采用 IR 经过验证的平面技术和 SO-8 封装，内含单双 N/P 沟道器件，除了集成在单一封装上的N/P沟道器件，还提供坚固、紧凑的系统解决方案，以驱动汽车应用中的多个输出或半桥电路。

 IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“由于可以满足宽泛电压的要求并采用 SO-8 封装和 IR 的平面技术，我们的最新系列 MOSFET 可以提供坚固紧凑的解决方案，非常适合需要用坚固 MOSFET 驱动阻性和感性负载的应用。”

 IR 的车用 MOSFET 都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。

 新器件符合 AEC-Q101 标准，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

 产品规格

 

器件编号	封装	栅级驱动	V(BR)DSS (V)	10VGS时的最大导通电阻(mΩ)	TC 为 25°C时的ID 最大值 (A)	10VGS 时的QG 典型值(nC)
单 N 沟道器件
AUIRF7805Q	SO-8	逻辑	30	11	13	22
双 N 沟道器件
AUIRF7303Q	SO-8	逻辑	30	50	4.9	25
AUIRF7103Q	SO-8	逻辑	50	130	3.0	10
AUIRF7341Q	SO-8	逻辑	55	50	5.1	29
单 P 沟道器件
AUIRF7207Q	SO-8	逻辑	-20	60	-5.4	15
AUIRF7416Q	SO-8	逻辑	-30	20	-10	61
双 P 沟道器件
AUIRF7304Q	SO-8	逻辑	-20	90	-4.3	22
AUIRF7316Q	SO-8	逻辑	-30	58	-4.9	23
AUIRF7342Q	SO-8	逻辑	-55	105	-3.4	26
N 和 P 沟道配对的 MOSFET*
AUIRF7319Q	SO-8	逻辑	30	29	6.5	22
AUIRF7379Q	SO-8	逻辑	30	45	5.8	25
AUIRF7309Q	SO-8	逻辑	30	50	4.0	25
AUIRF9952Q	SO-8	逻辑	30	80	3.5	6.9
AUIRF7343Q	SO-8	逻辑	55	95	4.7	24

 器件包含 N 和 P 沟道 MOSFET，所列参数是 N 沟道器件的参数，有关 P 沟道开关的参数，可以参考参数数据表。

推出多种整流器适合平台

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