MAX2032 完全集成的SiGe无源混频器

MAX2032 完全集成的SiGe无源混频器

概述

MAX2032高线性度、无源上变频或下变频混频器在650MHz至1000MHz的RF频段具有+33dBm IIP3、7dB NF和7dB变频损耗，支持多种基站应用。该混频器LO频率范围为650MHz至1250MHz，适用于高端LO注入结构。如需引脚兼容的低端LO注入混频器，请参考MAX2029。

MAX2032不仅具有出色的线性度和低噪声性能，还具有非常高的器件集成度。该器件含有一个双平衡无源混频器核、一个双输入LO选择开关和一个LO缓冲器。片内集成的非平衡变压器允许下变频的单端RF输入(或上变频的单端RF输出)以及单端LO输入。MAX2032需要标称0dBm的LO驱动，电源电流保证小于100mA。

MAX2032与MAX2039/MAX2041 1700MHz至2200MHz混频器引脚兼容，使该系列无源上变频和下变频混频器非常适合两个频段采用相同PCB布局的应用。

MAX2032采用紧凑的20引脚薄型QFN封装(5mm x 5mm)，带有裸焊盘。在-40°C至+85°C扩展级温度范围内，可保证电气性能。

关键特性

650MHz至1000MHz RF频率范围

650MHz至1250MHz LO频率范围

570MHz至900MHz LO频率范围(参考MAX2029数据资料)

直流至250MHz IF频率范围

7dB变频损耗

+33dBm输入IP3

+24dBm输入1dB压缩点

7dB噪声系数

集成LO缓冲器

集成RF和LO非平衡变压器

-3dBm至+3dBm低LO驱动

内置SPDT LO开关，LO1至LO2隔离度为49dB，开关时间为50ns

引脚兼容于MAX2039/MAX2041 1700MHz至2200MHz混频器

外部电流设置电阻允许折中选择混频器的低功耗/低性能工作模式

应用/使用

数字与扩频通信系统

GSM 850/GSM 900 2G和2.5G EDGE基站

集成数字增强网络(iDEN®)基站

微波和固定带宽无线接入设备

预校正接收器

WCDMA/LTE和cdma2000®基站

WiMAX™基站及用户端设备

无线本地环路

典型应用电路

集成性度无源混频器频段

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