Vashay推出下一代D系列高压功率MOSFET,推出,高压,器件,宾夕法尼亚,沟道, 宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A~36A电流,采用多种封装。 今天发布的D系列MOSFET基于新的高压条带技术,使效率和功率密度达到新的...
2012-05-03 00:00:00百科推出 高压 器件