结结

• 东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率

  

  东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率，结结，东芝，装置，推出，数据中心，中国上海，2023年6月13日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。  通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定...

  2023-06-13 00:00:00百科结结 东芝 装置

• 东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920

  

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  2022-03-18 17:35:00行业信息东芝 结结 处理器