东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率

中国上海，2023年6月13日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。
 

 
通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%，漏源导通电阻×栅漏电荷（MOSFET性能的品质因数）降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低，并最终实现了开关电源效率的提高。
 
该新产品采用TOLL封装，栅极驱动采用开尔文连接。可以通过降低封装中源极线电感的影响，增强MOSFET的高速开关性能，从而抑制开关过程中的振荡。
 
未来，东芝将继续扩展600V DTMOSVI系列产品线，以及已发布的650V DTMOSVI系列产品，并通过降低开关电源的功率损耗来达到节约节能的目的。
 

图1：漏极-源极导通电阻与栅漏电荷比较

应用

-     数据中心（服务器开关电源等）
-     光伏发电机功率调节器
-     不间断电源系统
 
 

特性

-     低漏源导通电阻×栅漏电荷，有助于提高开关电源的效率
 
 

主要规格

 
（除非另有说明，Ta＝25℃）

器件型号				TK055U60Z1
绝对最大 值	漏极-源极电压VDSS（V）			600
	漏极电流（DC）ID（A）			40
	结温Tch（℃）			150
电气特性	漏极-源极导通电阻 RDS(ON)（mΩ）	VGS＝10V	最大值	55
	总栅极电荷Qg（nC）		典型值	65
	栅极-漏极电荷Qgd（nC）		典型值	15
	输入电容Ciss（pF）		典型值	3680
封装	名称			TOLL
	尺寸（mm）		典型值	9.9×11.68 厚度＝2.3
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注：
[1] 截至2023年6月
 
 
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TK055U60Z1
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MOSFET
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结结东芝装置推出数据中心

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