飞兆半导体推出N沟道MOSFET器件可延长电池寿命,寿命,推出,器件,公司,媒体播放器,飞兆半导体推出N沟道MOSFET器件可延长电池寿命飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求,推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ,这两款器件使用先进的PowerTrench工艺技术,具有更低的RDS(ON),更高的效率,并可延长电池寿命。 飞兆半导体的FDZ192NZ...
2010-03-20 00:00:00百科寿命 推出 器件