随机存取

• 新型铁电晶体管随机存取存储器FeTRAM研制成功

  

  新型铁电晶体管随机存取存储器FeTRAM研制成功，随机存取，存储器，美国，闪存，晶体管，　　据美国物理学家组织网近日报道，美国科学家们正在研制一种新的计算机存储设备——铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)，其将比现在的商用存储设备更快捷，且比占主流的闪存能耗更低。研究发表在美国化学学会的《纳米快报》杂志上。铁电晶体管随机存取存储器同现在最先进的铁电随机存取存储器(FeRAM)一样，都能进行非易失性存储——这是静态随机存取存储的一种形式，这意味着，当计算机...

  2011-10-19 00:00:00百科随机存取 存储器 美国

• Ramtron推出最新铁电随机存取存储器(F-RAM) FM24C64C

  

  Ramtron推出最新铁电随机存取存储器(F-RAM) FM24C64C，随机存取，存储器，推出，样片，产品，　　世界领先的低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布，现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器 (F-RAM) 产品的样片。该新产品FM24C64C是65千位(Kb)、5V串口F-RAM器件，以总线速率运行且无写入延迟，并支持高达1万亿次 (1e12)的读/写循环...

  2011-07-22 00:00:00百科随机存取 存储器 推出

• 德州仪器推出FRAM 16位微控制器MSP430FR57xx系列

  

  德州仪器推出FRAM 16位微控制器MSP430FR57xx系列，推出，德州仪器，业界，随机存取，存储器，　　日前，德州仪器(TI)宣布推出业界首款超低功耗铁电随机存取存储器(FRAM)16位微控制器，从而宣告可靠数据录入和射频(RF)通信能力进入了一个新时代。　　新型 MSP430FR57xx FRAM 系列的面市进一步彰显了 TI 在嵌入式处理技术领域的领先地位，与基于闪存和 EEPROM 的微控制器相比，该 FRAM 系列可确保100倍以上的数据写入速度和250倍的功耗降幅。　　此外，这种片上 FR...

  2011-05-05 00:00:00百科推出 德州仪器 业界

• 业界最快QDR SRAM(静态随机存取存储器)

  

  业界最快QDR SRAM(静态随机存取存储器)，随机存取，存储器，业界，频率，推出，　　包括赛普拉斯半导体公司和瑞萨电子公司在内的QDR联盟日前宣布推出业界最快的四倍数据率(QDR) SRAM(静态随机存取存储器)。这些新型存储器将被命名为QDRII+ Xtreme并将以高达633兆赫兹(MHz)的时钟频率允许。这些器件将与现有的QDR II+器件在管脚、尺寸和功能方面兼容，从而使网络交换机、路由器及聚合平台制造商不必修改电路板设计，只需提高系统内时钟速度即可大幅改善产品性能。　　新型QDR II+ Xt...

  2011-04-27 00:00:00百科随机存取 存储器 业界

• 赛普拉斯推出串行非易失性静态随机存取存储器

  

  赛普拉斯推出串行非易失性静态随机存取存储器，随机存取，存储器，推出，公司，接口，　　赛普拉斯半导体公司日前宣布推出新的串行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)，该存储器具有I2C和SPI接口，可用于仪表、工业和汽车应用。新的器件最高工作频率可分别达到104MHz(SPI器件)和3.4MHz(I2C器件)。同时，用户还可以选择集成实时时钟(RTC)，用于给重要的数据打上时间标记，以便备份。　　　　赛普拉斯的nvSRAM采用其S8™ 0.13-微米 SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性...

  2011-04-06 00:00:00百科随机存取 存储器 推出

• 三星电子推出40纳米级动态存储芯片

  

  三星电子推出40纳米级动态存储芯片，存储芯片，动态，推出，随机存取，企业，三星电子推出40纳米级动态存储芯片 据韩国《中央日报》报道，世界著名存储芯片企业三星电子在全球率先推出40纳米级32GB DRAM(动态随机存取记忆体)模块，并计划从4月开始生产该产品。　　40纳米(10亿分之1米)工艺是指将芯片内部电路的线幅缩小为40纳米。芯片电路线幅越薄，芯片的集成度和生产效率就越高。　　三星电子在2009年3月实现了50纳米级16GB DRAM模块的批量生产，而仅隔一年就把容量提高两倍，芯片生产效率则提高了6...

  2010-04-07 00:00:00百科存储芯片 动态 推出