罗姆展出沟道型SiC制SBD和MOSFET，沟道，较低，电压，下称，以往， 罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和MOSFET。沟道型SBD的特点在于，与普通SiC制SBD相比二极管导通电压(以下称导通电压)较低。沟道型SBD的导通电压为0.5V，降到了以往1.2V的一半以下，低于Si制FRD(Fast Recovery Diode，快恢复二极管)的0.6V。 SBD尽管可通过改进电极金属及成膜条件来降低导通电压，但却存在漏电流变大的课题。此次在降低导通电压的同时，通过挖掘沟道后...
2011-10-12 00:00:00百科沟道 较低 电压
