沟道

• 使用N沟道绝缘栅场效应管和独立二极管检波的陷流测试振荡器电路

  

  使用N沟道绝缘栅场效应管和独立二极管检波的陷流测试振荡器电路，电路图,光电振荡电路,使用N沟道绝缘栅场效应管和独立二极管检波的陷流测试振荡器电路 陷流，使用N沟道绝缘栅场效应管和独立二极管检波的陷流测试振荡器电路图...

  2023-09-18 21:17:00电路图测试 电路图 沟道

• N沟道结型场效应管自偏电路

  

  N沟道结型场效应管自偏电路，电路图,信号处理电子电路图,N沟道结型场效应管自偏电路 场效应管，自偏压电路 自偏压用于结型和耗尽型MOS管放大电路，图5.2-6示出N沟道结型场效应管自偏电路。图5.2-6  自偏压电路栅源电压为UGS=RID...

  2023-09-18 19:34:00电路图场效应管 沟道 信号处理

• 用P沟道MOSFET设计反向电压保护电路

  

  用P沟道MOSFET设计反向电压保护电路， 反向电压,保护电路，在直流系统中，比如汽车电子设计中，当电池接反时，使用电池作为电源的电路可能会损坏，所以一般需要反向电压保护电路。其实用MOSFET作为反向保护电路一般比较少，原因成本比较高，最常见的方法是使用二极管，然而，二极管压降很高，这将在低压电路中产生问题，这就是电池反向保护中一般使用 MOSFET 作为防反接器件的原因，因为它的导通电压降非常低。1.P沟道 MOSFET 作为反向电压保护电路的原理增强型MOS...

  2023-09-18 18:58:00电路图沟道 电压 电路

• 用N沟道MOSFET设计反向电压保护电路

  

  用N沟道MOSFET设计反向电压保护电路， 反向电压,保护电路，相对于P沟通MOSFET而言，N沟通MOSFET的价格更低，工艺也更简单，今天我们就讲一下如何用N沟道MOSFET设计反向电压保护电路。1.N沟道 MOSFET 作为反向电压保护电路的原理下面是一个基于N沟道MOSFET的反向保护电路，和PMOS不同的是，NMOS需要接在电源的负极端。其中漏极D必须接到电源的负极。源极S必须连接到设备的地，栅极则必须连接到电源的正极。在电路启动期间，电流将开始从电源的...

  2023-09-18 18:58:00电路图沟道 电压 电路

• 最新N沟道MOSFET晶体管IPD100N04S4-02

  

  最新N沟道MOSFET晶体管IPD100N04S4-02，封装,性能,功率密度,晶体管,沟道，IPD100N04S4-02是一款最新的N沟道MOSFET晶体管，具有高电流、低电阻和高速性能。该晶体管采用了最新的封装技术，具有更小的封装尺寸和更高的功率密度，可以在各种高电流应用中发挥出色的性能。该晶体管具有非常低的导通电阻，只有0.0...

  2023-04-19 08:09:55电子技术封装 性能 功率密度

• Vishay推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET

  

  Vishay推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET，Vishay,MOSFET,导通电阻，对称,推出,双通道,沟道，Vishay推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET-SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2...

  2023-02-06 14:44:00行业信息对称 推出 双通道

• Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装

  

  Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装，封装，应用领域，空间，结构，沟道，奈梅亨，2020年5月7日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 （Power-SO8）封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准，适合汽车应用，可作为DPAK MOSFET的理想替代产品，在保证性能的基础上，将封装占位面积减少了50%以上。 新系列产品在30 V至60 V工作电压范围内可供选择，导通电阻...

  2020-05-08 00:00:00百科封装 应用领域 空间

• 东芝推出紧凑型车用100V N沟道功率MOSFET

  

  东芝推出紧凑型车用100V N沟道功率MOSFET，计划，出货，推出，东芝，沟道，中国上海，2019年12月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。MOSFET产品图...

  2019-12-25 00:00:00百科计划 出货 推出

• Vishay推业内最低RS-S（ON）60V共漏极器件，适于24V系统和工业应用双向开关

  

  Vishay推业内最低RS-S（ON）60V共漏极器件，适于24V系统和工业应用双向开关，推出，封装，器件，系统，沟道，器件适用于24 V系统双向开关，最佳RS‑S（ON）典型值低至10 mW，单位面积RS-S（ON）达业内最低水平宾夕法尼亚、MALVERN — 2019年12月11日—日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V M...

  2019-12-13 00:00:00百科推出 封装 器件

• 半导体制程发展史

  

  半导体制程发展史，节点,数字,英特尔,时代,沟道，微米时代，这个技术节点的数字越小，晶体管的尺寸也越小，沟道长度也就越小。但是在22nm节点之后，晶体管的实际尺寸，或者说沟道的实际长度，是长于这个数字的。比方说，英特尔的14nm的晶体管，沟道长度其实是20nm左右。这里就涉及到三个问题：第...

  2018-09-12 10:06:32电子技术节点 数字 英特尔

• Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性，适用于移动设备和消费电子

  

  Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性，适用于移动设备和消费电子，移动设备，功率密度，高效率，宾夕法尼亚，沟道，器件具有37.8A的连续漏极电流，导通电阻低至8.4mΩ，采用小尺寸PowerPAK® SC-70封装宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率...

  2017-04-25 00:00:00百科移动设备 功率密度 高效率

• Vishay扩充其TrenchFETGen III P沟道功率MOSFET

  

  Vishay扩充其TrenchFETGen III P沟道功率MOSFET，扩充，器件，封装，推出，沟道，　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 7 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen...

  2013-07-15 00:00:00百科扩充 器件 封装

• Vishay大幅扩充E系列650V N沟道功率MOSFET家族

  

  Vishay大幅扩充E系列650V N沟道功率MOSFET家族，封装，器件，功率密度，扩充，沟道，　　新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30m、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 6 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装，将...

  2013-06-04 00:00:00百科封装 器件 功率密度

• Vishay Siliconix发布新款N沟道TrenchFET功率MOSFET-SiR872ADP

  

  Vishay Siliconix发布新款N沟道TrenchFET功率MOSFET-SiR872ADP，公司，封装，扩展，沟道，栅极，　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 4 月23 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术...

  2013-04-23 00:00:00百科公司 封装 扩展

• Vishay发布率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的MOSFET

  

  Vishay发布率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的MOSFET，封装，推出，芯片，沟道，代号，　　日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是业内首次采用这种小尺寸、热增强型PowerPAK® SC-75 1.6...

  2013-01-09 00:00:00百科封装 推出 芯片

• Vishay推出新款40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L

  

  Vishay推出新款40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L，推出，认证，芯片，沟道，功率，宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 12 月7 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。该器件特别针对“重型”汽车应用，是Vishay...

  2012-12-07 00:00:00百科推出 认证 芯片

• Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET

  

  Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET，封装，推出，芯片，沟道，功率，宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸，具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。今天...

  2012-11-29 00:00:00百科封装 推出 芯片

• Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列

  

  Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列，器件，芯片，封装，扩充，沟道，　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 10 月22 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件，将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结...

  2012-10-22 00:00:00百科器件 芯片 封装

• Vishay新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录

  

  Vishay新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录，推出，芯片，刷新，沟道，电阻，　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 6 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通...

  2012-06-28 00:00:00百科推出 芯片 刷新

• Vishay的新一代TrenchFET MOSFET再度刷新业内导通电阻最低记录

  

  Vishay的新一代TrenchFET MOSFET再度刷新业内导通电阻最低记录，器件，推出，刷新，新一代，沟道，宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 5 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4....

  2012-05-08 00:00:00百科器件 推出 刷新

• Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET

  

  Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET，封装，推出，芯片，沟道，功率，宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸，具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。今天...

  2012-11-29 00:00:00百科封装 推出 芯片

• Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列

  

  Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列，器件，芯片，封装，扩充，沟道，　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 10 月22 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件，将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结...

  2012-10-22 00:00:00百科器件 芯片 封装

• Vishay新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录

  

  Vishay新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录，推出，芯片，刷新，沟道，电阻，　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 6 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通...

  2012-06-28 00:00:00百科推出 芯片 刷新

• Vishay的新一代TrenchFET MOSFET再度刷新业内导通电阻最低记录

  

  Vishay的新一代TrenchFET MOSFET再度刷新业内导通电阻最低记录，器件，推出，刷新，新一代，沟道，宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 5 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4....

  2012-05-08 00:00:00百科器件 推出 刷新