Vishay大幅扩充E系列650V N沟道功率MOSFET家族

　　新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30m、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 6 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩大为6A～105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术，针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指标。

　　今天推出的器件使E系列的器件总数达到26个。所有E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷，可实现极低的传导和开关损耗，可在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源（UPS）、电池充电器、LED照明、半导体制造设备、适配器和太阳能逆变器等高功率、高性能开关电源中节省能源。

　　器件针对雪崩和通信模式中承受高能脉冲而设计，通过100%的UIS测试确保极限性能。MOSFET符合RoHS。

　　新款功率MOSFET现可提供样品，量产供货周期为十六周到十七周。

　　VISHAY简介

　　Vishay Intertechnology， Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
 

封装器件功率密度扩充沟道

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