Vishay的新一代TrenchFET MOSFET再度刷新业内导通电阻最低记录

宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 5 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其新一代TrenchFET^® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ，Miller电荷Q_gd低至1.8nC，采用PowerPAK^® SO-8和1212-8封装。
 
新款Vishay Siliconix TrenchFET IV在硅设计、晶圆加工和器件封装上采用了多项技术改进措施，为功率电子系统设计者提供了诸多好处。与前一代器件相比，SiRA00DP的导通电阻与面积乘积减小了60%，在10V电压下实现了1.0mΩ的极低R_DS(on)，4.5V下1.35mΩ的导通电阻达到业内最佳水准。对于设计者而言，MOSFET的低导通电阻可以实现更低的传导损耗，减少功率损耗，达到更高的效率。 
TrenchFET Gen IV MOSFET采用了一种新型结构，这种结构实现了非常高密度的设计，而没有明显增加栅极电荷，克服了经常在高晶格数量器件上出现的这个问题。今天发布的MOSFET的总栅极电荷较低，使得SiRA04DP在4.5V下导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)降至56nC-Ω。
 
SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高系统效率，降低温度，采用6.15mm x 5.15mm PowerPAK^® SO-8封装，SiSA04DN的效率与之相近，3.30mm x 3.30mm PowerPAK 1212-8封装的面积只有前三款器件的1/3。今天发布的所有器件的Q_gd/Q_gs比值仅有0.5或更低。更低的比值可以降低栅极感应电压，有助于防止击穿的发生。
 
SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN适用于高功率密度DC/DC转换器、同步整流、同步降压转换器和OR-ing应用。典型终端产品包括开关电源、电压调节模块(VRM)、POL、通信砖式电源、PC和服务器。
 
TrenchFET Gen IV经过了100%的R_g和UIS测试。这些器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定和RoHS指令。
 
 Vishay Siliconix是业内首家引入Trench MOSFET的供应商。该公司的TrenchFET知识产权包括大量专利，以及可追溯到20世纪80年代早期的基础技术专利。每一代新的TrenchFET技术生产出来的产品都将各种计算、通信、消费电子和其他应用中功率MOSFET的性能指标提高了相当可观的数值。

器件推出刷新新一代沟道

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