沟道

• Vashay推出下一代D系列高压功率MOSFET

  

  Vashay推出下一代D系列高压功率MOSFET，推出，高压，器件，宾夕法尼亚，沟道，　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。　　今天发布的D系列MOSFET基于新的高压条带技术，使效率和功率密度达到新的...

  2012-05-03 00:00:00百科推出 高压 器件

• Vishay推出新款n沟道功率MOSFET 60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV

  

  Vishay推出新款n沟道功率MOSFET 60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV，推出，认证，沟道，功率，新款，　　日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用，这些采用密封TO-205AD(TO-...

  2011-11-01 00:00:00百科推出 认证 沟道

• Vishay推出业内最小N沟道和P沟道功率MOSFET

  

  Vishay推出业内最小N沟道和P沟道功率MOSFET，推出，封装，沟道，功率，最小，日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的MICRO FOOT®封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而...

  2011-10-21 00:00:00百科推出 封装 沟道

• Vishay发布新款E系列MOSFET器件

  

  Vishay发布新款E系列MOSFET器件，器件，沟道，系列，电阻，代号，日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术，具有超低栅极电荷，以及较低栅极电荷与导通电阻乘积，该乘积是衡量用在功率转换...

  2011-10-13 00:00:00百科器件 沟道 系列

• 罗姆展出沟道型SiC制SBD和MOSFET

  

  罗姆展出沟道型SiC制SBD和MOSFET，沟道，较低，电压，下称，以往，　　罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和MOSFET。沟道型SBD的特点在于，与普通SiC制SBD相比二极管导通电压(以下称导通电压)较低。沟道型SBD的导通电压为0.5V，降到了以往1.2V的一半以下，低于Si制FRD(Fast Recovery Diode，快恢复二极管)的0.6V。　　SBD尽管可通过改进电极金属及成膜条件来降低导通电压，但却存在漏电流变大的课题。此次在降低导通电压的同时，通过挖掘沟道后...

  2011-10-12 00:00:00百科沟道 较低 电压

• 英飞凌推出单P沟道40V汽车电源MOSFET产品:OptiMOS P2

  

  英飞凌推出单P沟道40V汽车电源MOSFET产品:OptiMOS P2，推出，产品，英飞凌，行业，沟道，英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。　　新推出的器件系列采用多种标准封装，电流范围为50A至180A，囊括30多个器件型号，其中包括通态电阻最低的车用P沟道40V MOSFET。180A是P沟道工艺...

  2011-09-13 00:00:00百科推出 产品 英飞凌

• Vishay发布新款TrenchFET功率MOSFET-SiB437EDKT

  

  Vishay发布新款TrenchFET功率MOSFET-SiB437EDKT，器件，占位，沟道，功率，能在，　　日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。　　新款SiB437EDKT可用做智能手机、MP3播放器、便携式多媒体播放器、数码相机、电子...

  2011-08-18 00:00:00百科器件 占位 沟道

• Linear推出同步降压-升压型转换器 LTC3536

  

  Linear推出同步降压-升压型转换器 LTC3536，同步，推出，降压，公司，沟道，　　凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出同步降压-升压型转换器 LTC3536，该器件可从采用锂离子 / 聚合物电池作电源时提供高达 1A 的输出电流，而用两节碱性 / 镍镉 / 镍氢金属电池作电源时可提供 300mA。1.8V 至 5.5V 的输入和输出电压范围使该器件可在输入高于、低于或等于稳压输出时提供 ±1% 的准确输出。LTC3536 采用最新一代单个...

  2011-08-05 00:00:00百科同步 推出 降压

• 意法半导体推出航天级功率MOSFET晶体管

  

  意法半导体推出航天级功率MOSFET晶体管，推出，抗辐射，子系统，沟道，半导体，　　随着全球对卫星通信、卫星电视、卫星天气预报及卫星地理数据的需求不断升温，横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST) 推出首款完全符合卫星和运载火箭电子子系统质量要求的功率系列产品。　　据卫星产业协会报告显示，全球卫星市场正在稳步增长，每年收入达1600多亿美元 。虽然核心电子元器件产自于全球不同地区，包括欧洲和亚洲，但获得航天应用认证的器件主要来自美国。意法半导...

  2011-06-15 00:00:00百科推出 抗辐射 子系统

• Vishay推出集成DrMOS解决方案-SiC779CD

  

  Vishay推出集成DrMOS解决方案-SiC779CD，集成，推出，解决方案，优化，沟道，　　日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、自举二极管的集成DrMOS解决方案---SiC779CD。　　器件的工作频率超过1MHz，效率大于93%。所有这些都集成在低外形、热增强型PowerPAK® MLP 6x6的40脚封装里。新的SiC779CD完全符合针对服务器和...

  2011-05-12 00:00:00百科集成 推出 解决方案

• Vishay发布TrenchFET功率MOSFET--SiR640DP和SiR662DP

  

  Vishay发布TrenchFET功率MOSFET--SiR640DP和SiR662DP，沟道，功率，代号，新款，股市，　　日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。　　40 V SiR640DP在10V...

  2011-04-01 00:00:00百科沟道 功率 代号

• Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA427DJ

  

  Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA427DJ，推出，封装，器件，占位，沟道，　　日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。　　SiA427DJ在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下分别具有16mΩ、26mΩ、32m&Om...

  2011-01-26 00:00:00百科推出 封装 器件

• 飞兆半导体推出低导通电阻MOSFET

  

  飞兆半导体推出低导通电阻MOSFET，器件，推出，业界，封装，沟道，　　飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V， ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)最小的MOSFET器件，而采用5×6mm封装的同类30V MOSFET器件的RDS(ON)则为1.4至1.6mΩ。　　通过评测，MOSFET器件的总体漏源导通电阻RDS(ON...

  2010-12-29 00:00:00百科器件 推出 业界

• MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率

  

  MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率，封装，推出，沟道，功率，首款，采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。 Si8499DB pdf:http://www.elec...

  2010-04-30 00:00:00百科封装 推出 沟道

• P沟道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB

  

  P沟道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB，封装，推出，沟道，功率，首款，P沟道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DBVishay推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道技术的首款芯片级产品。这种最先进的技术能够实现超精细、亚微米的节...

  2010-04-29 00:00:00百科封装 推出 沟道

• Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8

  

  Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8，推出，器件，沟道，功率，新款，Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。 SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性...

  2010-04-07 00:00:00百科推出 器件 沟道

• MAX8794 低电压、DDR线性稳压器

  

  MAX8794 低电压、DDR线性稳压器，线性，吸入，稳压器，沟道，低电压，MAX8794 低电压、DDR线性稳压器MAX8794 DDR线性稳压器使用内置n沟道MOSFET，可以源出或吸入最高3A (典型值)的峰值电流。该线性稳压器利用低电压电源输入(VIN = 1.1V至3.6V)可以提供精确的0.5V至1.5V输出。MAX8794使用独立的3.3V偏置电源为控制电路供电，并驱动内部n沟道MOSFET。MAX8794具有限流及过热保护功能，避免损坏线性稳压器。此外，MAX8794能够产生电源就绪(PG...

  2010-03-18 00:00:00百科线性 吸入 稳压器

• LM3421/LM343/LM3424/LM3429—适用于

  

  LM3421/LM343/LM3424/LM3429—适用于，控制器，工作原理，驱动器，沟道，适用于，LM3421/LM343/LM3424/LM3429—适用于恒流LED驱动器的PowerWise N沟道控制器工作原理LM3421/LM343/LM3424/LM3429属于功能齐备的高电压 LED 驱动器控制器，可以配置为降压、升压、降压/升压 (反激) 或SEPIC 等拓扑结构，是驱动 LED 的理想控制器，并适用于多种不同的电子产品。这几款 PWM 控制器适用于可调整开关频率的设计，频率最高可达 2...

  2010-03-05 00:00:00百科控制器 工作原理 驱动器

• MAX15054 高边MOSFET驱动器，用于HB LED驱

  

  MAX15054 高边MOSFET驱动器，用于HB LED驱，用于，驱动器，高压，频率，沟道，MAX15054 高边MOSFET驱动器，用于HB LED驱动器和DC-DC应用概述MAX15054是高边、n沟道MOSFET驱动器，高压应用中可工作在较高的开关频率。该器件由以地为参考的CMOS逻辑电平控制，输入到输出的传输延时极短(12ns，典型值)。高压工作和源出/吸入大电流等特性，使得MAX15054可理想用于HB LED驱动器和DC-DC转换器。MAX15054非常适合配合Maxim LED驱动器产品使...

  2010-01-28 00:00:00百科用于 驱动器 高压

• 全新高密度沟槽MOSFET（安森美）

  

  全新高密度沟槽MOSFET（安森美），推出，效应，沟槽，沟道，晶体管，全新高密度沟槽MOSFET（安森美）安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。新系列的MOSFET利用安森美半导体获市场验证的沟槽技术，提供优异的导通阻抗[RDS(on)]及更高的开关性能，...

  2009-11-02 00:00:00百科推出 效应 沟槽

• MAX8794 低电压、DDR线性稳压器

  

  MAX8794 低电压、DDR线性稳压器，线性，吸入，稳压器，沟道，低电压，MAX8794 低电压、DDR线性稳压器MAX8794 DDR线性稳压器使用内置n沟道MOSFET，可以源出或吸入最高3A (典型值)的峰值电流。该线性稳压器利用低电压电源输入(VIN = 1.1V至3.6V)可以提供精确的0.5V至1.5V输出。MAX8794使用独立的3.3V偏置电源为控制电路供电，并驱动内部n沟道MOSFET。MAX8794具有限流及过热保护功能，避免损坏线性稳压器。此外，MAX8794能够产生电源就绪(PG...

  2010-03-18 00:00:00百科线性 吸入 稳压器

• LM3421/LM343/LM3424/LM3429—适用于

  

  LM3421/LM343/LM3424/LM3429—适用于，控制器，工作原理，驱动器，沟道，适用于，LM3421/LM343/LM3424/LM3429—适用于恒流LED驱动器的PowerWise N沟道控制器工作原理LM3421/LM343/LM3424/LM3429属于功能齐备的高电压 LED 驱动器控制器，可以配置为降压、升压、降压/升压 (反激) 或SEPIC 等拓扑结构，是驱动 LED 的理想控制器，并适用于多种不同的电子产品。这几款 PWM 控制器适用于可调整开关频率的设计，频率最高可达 2...

  2010-03-05 00:00:00百科控制器 工作原理 驱动器

• MAX15054 高边MOSFET驱动器，用于HB LED驱

  

  MAX15054 高边MOSFET驱动器，用于HB LED驱，用于，驱动器，高压，频率，沟道，MAX15054 高边MOSFET驱动器，用于HB LED驱动器和DC-DC应用概述MAX15054是高边、n沟道MOSFET驱动器，高压应用中可工作在较高的开关频率。该器件由以地为参考的CMOS逻辑电平控制，输入到输出的传输延时极短(12ns，典型值)。高压工作和源出/吸入大电流等特性，使得MAX15054可理想用于HB LED驱动器和DC-DC转换器。MAX15054非常适合配合Maxim LED驱动器产品使...

  2010-01-28 00:00:00百科用于 驱动器 高压

• 全新高密度沟槽MOSFET（安森美）

  

  全新高密度沟槽MOSFET（安森美），推出，效应，沟槽，沟道，晶体管，全新高密度沟槽MOSFET（安森美）安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。新系列的MOSFET利用安森美半导体获市场验证的沟槽技术，提供优异的导通阻抗[RDS(on)]及更高的开关性能，...

  2009-11-02 00:00:00百科推出 效应 沟槽