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代号

  • 谷歌成功研发代号Whitechapel自研芯片

    谷歌成功研发代号Whitechapel自研芯片

    谷歌成功研发代号Whitechapel自研芯片,苹果,谷歌,芯片,芯片,研发,智能手机,代号,在苹果推出了自研Mac芯片M1之后,有很多厂商对于自研芯片的兴趣大增,其中谷歌也为Pixel智能手机以及Chromebook研发芯片。" /...

    2021-01-13 16:36:00行业信息芯片 研发 智能手机

  • Intel宣布下一代XeonScalable处理器实现单路接口最高56核

    Intel宣布下一代XeonScalable处理器实现单路接口最高56核

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    2019-08-07 14:24:00行业信息处理器 接口 可扩展

  • 小米A3即将发布,内部代号为“bamboo_sprout”

    小米A3即将发布,内部代号为“bamboo_sprout”

    小米A3即将发布,内部代号为“bamboo_sprout”,智,处理器,流出,小米,代号,近日,有国外爆料人士称,小米A3即将发布,内部代号为“bamboo_sprout”,将会装备高通骁龙730处理器;而小米A3 Lite内部代号为“cosmos_sprout”,将会装备高通骁龙675处理器。除此之外,疑似官方的渲染图也一并流出。" /...

    2019-07-29 17:20:00行业信息处理器 流出 小米

  • 谷歌新款笔记本曝光,代号“Atlas”

    谷歌新款笔记本曝光,代号“Atlas”

    谷歌新款笔记本曝光,代号“Atlas”,笔记本,代号,新款,出了,笔记本电脑,据外媒报道,谷歌一款新的笔记本电脑曝光,Google放出了新款笔记本的谍照。" /...

    2019-07-19 15:28:00行业信息代号 新款 出了

  • Vishay扩展汽车级SMD铝电容器的电压范围

    Vishay扩展汽车级SMD铝电容器的电压范围

    Vishay扩展汽车级SMD铝电容器的电压范围,扩展,电压,代号,扩展到,股市,  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,将汽车级146 CTI和160 CLA系列表面贴装铝电容器的电压范围分别扩展到100V和80V。Vishay BCcomponents器件适用于高温条件下的汽车和工业应用,具有低阻抗、大纹波电流和长使用寿命的优点。  146 CTI系列电容器有9种外形尺寸,工作温度高达+125℃,160 CLA系列有6种外形尺寸,可在+150...

    2016-05-17 00:00:00百科扩展 电压 代号

  • Vishay发布2016年“Super 12”明星精选产品

    Vishay发布2016年“Super 12”明星精选产品

    Vishay发布2016年“Super 12”明星精选产品,产品,传感器,代号,股市,日前,  宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 3 月9 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)公布了2016年的“Super 12”特色产品。每年,Vishay都会挑出12款半导体器件和无源元件,这些器件采用新的和改进后的技术,能够显著提高终端产品和系统性能。Vishay的Super 12明星精选产品代...

    2016-03-09 00:00:00百科产品 传感器 代号

  • Vishay新款薄膜条MOS电容器为混合装配提供高功率

    Vishay新款薄膜条MOS电容器为混合装配提供高功率

    Vishay新款薄膜条MOS电容器为混合装配提供高功率,混合,宾夕法尼亚,功率,代号,新款,  宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 5 月18 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境,推出新的薄膜条MOS电容器。Vishay Dale Resistors Electro-Films BRCP可处理高功率,工作电压高达100V,有120mil x 35mil...

    2015-05-18 00:00:00百科混合 宾夕法尼亚 功率

  • Vishay新款 BiSy单线超低电容ESD保护二极管VBUS05B1-SD0

    Vishay新款 BiSy单线超低电容ESD保护二极管VBUS05B1-SD0

    Vishay新款 BiSy单线超低电容ESD保护二极管VBUS05B1-SD0,对称,封装,单线,代号,电容,  宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 3 月31 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新的双向对称(BiSy)单线ESD保护二极管---VBUS05B1-SD0,其采用超小尺寸CLP0603封装,可用于便携式电子产品。Vishay Semiconductors VBUS05B1-SD0的尺...

    2015-04-01 00:00:00百科对称 封装 单线

  • Vishay推出新款高发光强度功率MiniLED

    Vishay推出新款高发光强度功率MiniLED

    Vishay推出新款高发光强度功率MiniLED,推出,封装,功率,代号,强度,  宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 1 月7 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用超小尺寸2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封装的新系列功率MiniLED---VLMx234.。系列。该系列器件采用了最先进的AllnGaP技术,具有非常高的亮度,典型发光强度为3500mcd,在70mA下的最大发光...

    2014-01-07 00:00:00百科推出 封装 功率

  • Vishay发布高度低至2.1mm的新款10mm标准SMD 7段LED数码管

    Vishay发布高度低至2.1mm的新款10mm标准SMD 7段LED数码管

    Vishay发布高度低至2.1mm的新款10mm标准SMD 7段LED数码管,数码管,封装,度低,代号,新款,  宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 8 月7 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布采用小尺寸、低高度封装的两个新系列10mm标准表面贴装7段LED数码管---VDMx10x0和VDMx10A1系列,这两款数码管在GaAs芯片技术基础上使用了AllnGap材料,使发光强度达到2750&mu...

    2013-08-07 00:00:00百科数码管 封装 度低

  • Vishay发布率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的MOSFET

    Vishay发布率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的MOSFET

    Vishay发布率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的MOSFET,封装,推出,芯片,沟道,代号,  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ,将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是业内首次采用这种小尺寸、热增强型PowerPAK® SC-75 1.6...

    2013-01-09 00:00:00百科封装 推出 芯片

  • Vishay发布用于太阳能电池的卡扣式功率铝电容器

    Vishay发布用于太阳能电池的卡扣式功率铝电容器

    Vishay发布用于太阳能电池的卡扣式功率铝电容器,用于,芯片,功率,代号,半导体,宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月5 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列卡扣式功率铝电容器---193 PUR-SI Solar,其在50℃下额定电压达500V,在105℃下达到450V。193 PUR-SI Solar器件面向在无负载情况下会出现最高电压的太阳能应用,并具有很长的使用寿命,在+10...

    2012-11-05 00:00:00百科用于 芯片 功率

  • Vishay发布用于电力电子产品的新系列3相圆柱形电容器

    Vishay发布用于电力电子产品的新系列3相圆柱形电容器

    Vishay发布用于电力电子产品的新系列3相圆柱形电容器,用于,芯片,推出,圆柱形,代号,  宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 7 月2 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出用于电力电子产品的新系列3相圆柱形电容器---EMKP。电容器可处理高电流,具有400VAC~1650VAC的9种标准电压等级,以及丰富的容值和封装选项。  今天发布的EMKP电容器有160mm~265mm共4种高度,64mm...

    2012-07-02 00:00:00百科用于 芯片 推出

  • Vishay发布具有高Q值的,应用在高频和微波领域的新款多层陶瓷电容器

    Vishay发布具有高Q值的,应用在高频和微波领域的新款多层陶瓷电容器

    Vishay发布具有高Q值的,应用在高频和微波领域的新款多层陶瓷电容器,高频,芯片,多层,用在,代号,  宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 6 月26 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ HIFREQ。器件具有高自振、大于2000的高Q值、小于0.05%的低介质损耗角,可在高频商用应用中工作。  VJ HIFREQ系列器件具有低介质损耗角,...

    2012-06-26 00:00:00百科高频 芯片 多层

  • Vishay推出小尺寸封装非过零光敏光耦VOM160

    Vishay推出小尺寸封装非过零光敏光耦VOM160

    Vishay推出小尺寸封装非过零光敏光耦VOM160,封装,芯片,推出,行业标准,代号,宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 6 月11 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布采用行业标准微型扁平SOP4封装的新款非过零光敏光耦---VOM160和VOM305x。今天推出的器件比采用DIP-6封装的器件可节省66%的PCB空间,扩充了其光电子产品组合。新的VOM160和VOM305x系列具有三种输出触发...

    2012-06-11 00:00:00百科封装 芯片 推出

  • Vishay推出TANTAMOUNT表面贴装模压片式钽电容器TL3

    Vishay推出TANTAMOUNT表面贴装模压片式钽电容器TL3

    Vishay推出TANTAMOUNT表面贴装模压片式钽电容器TL3,推出,表面,装模,钽电容,代号,宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 3 月15 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的TL3系列TANTAMOUNT®表面贴装模压片式钽电容器---TL3。该电容器是行业首款具有低至0.005CV的漏电流(DCL)标准,使系统设计师能够大幅延长便携设备中电池的工作时间。TL3系列提供多种容量...

    2012-03-15 00:00:00百科推出 表面 装模

  • Vishay发布采用不同封装的45V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器

    Vishay发布采用不同封装的45V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器

    Vishay发布采用不同封装的45V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器,整流器,封装,器件,推出,代号,  宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 1 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出12款采用3种功率封装、具有10A~40A额定电流范围的新型45V器件---V(B,F)T1045BP、V(B,F)T2045BP、V(B,F)T3045BP和V(B,F)T4045BP,扩充其TM...

    2012-01-10 00:00:00百科整流器 封装 器件

  • Vishay提高VJ HVArc Guard MLCC的最小容量

    Vishay提高VJ HVArc Guard MLCC的最小容量

    Vishay提高VJ HVArc Guard MLCC的最小容量,容量,多层,代号,片式,最小,  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,提高其VJ HVArc Guard®表面贴装X7R多层陶瓷片式电容器(MLCC)的最低容值。对于更低的容值,公司会提供C0G(NP0)电介质,电压范围1000V~2500V,及采用0805~2225的5种外形尺寸。  0805外形尺寸的VJ HVArc Guard---X7R MLCC的最低容值提高到4...

    2011-12-16 00:00:00百科容量 多层 代号

  • Vishay发布新款E系列MOSFET器件

    Vishay发布新款E系列MOSFET器件

    Vishay发布新款E系列MOSFET器件,器件,沟道,系列,电阻,代号,日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大导通电阻,以及22A~47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术,具有超低栅极电荷,以及较低栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是衡量用在功率转换...

    2011-10-13 00:00:00百科器件 沟道 系列

  • Vishay发布新款超小型ESD保护二极管

    Vishay发布新款超小型ESD保护二极管

    Vishay发布新款超小型ESD保护二极管,推出,对称,封装,可在,代号,日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用超小型CLP0603硅封装的新款双向对称(BiSy)单路ESD保护二极管---VCUT05D1-SD0。VCUT05D1-SD0具有10pF的低电容,可在便携式电子产品中保护信号和数据线路免受瞬态电压信号的侵扰,并大大节省PCB空间。VCUT05D1-SD0只占用0.6 mm x 0.3mm的面积,封装高度小于0.3mm,在便携...

    2011-09-23 00:00:00百科推出 对称 封装

  • Vishay发布采用不同封装的45V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器

    Vishay发布采用不同封装的45V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器

    Vishay发布采用不同封装的45V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器,整流器,封装,器件,推出,代号,  宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 1 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出12款采用3种功率封装、具有10A~40A额定电流范围的新型45V器件---V(B,F)T1045BP、V(B,F)T2045BP、V(B,F)T3045BP和V(B,F)T4045BP,扩充其TM...

    2012-01-10 00:00:00百科整流器 封装 器件

  • Vishay提高VJ HVArc Guard MLCC的最小容量

    Vishay提高VJ HVArc Guard MLCC的最小容量

    Vishay提高VJ HVArc Guard MLCC的最小容量,容量,多层,代号,片式,最小,  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,提高其VJ HVArc Guard®表面贴装X7R多层陶瓷片式电容器(MLCC)的最低容值。对于更低的容值,公司会提供C0G(NP0)电介质,电压范围1000V~2500V,及采用0805~2225的5种外形尺寸。  0805外形尺寸的VJ HVArc Guard---X7R MLCC的最低容值提高到4...

    2011-12-16 00:00:00百科容量 多层 代号

  • Vishay发布新款E系列MOSFET器件

    Vishay发布新款E系列MOSFET器件

    Vishay发布新款E系列MOSFET器件,器件,沟道,系列,电阻,代号,日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大导通电阻,以及22A~47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术,具有超低栅极电荷,以及较低栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是衡量用在功率转换...

    2011-10-13 00:00:00百科器件 沟道 系列

  • Vishay发布新款超小型ESD保护二极管

    Vishay发布新款超小型ESD保护二极管

    Vishay发布新款超小型ESD保护二极管,推出,对称,封装,可在,代号,日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用超小型CLP0603硅封装的新款双向对称(BiSy)单路ESD保护二极管---VCUT05D1-SD0。VCUT05D1-SD0具有10pF的低电容,可在便携式电子产品中保护信号和数据线路免受瞬态电压信号的侵扰,并大大节省PCB空间。VCUT05D1-SD0只占用0.6 mm x 0.3mm的面积,封装高度小于0.3mm,在便携...

    2011-09-23 00:00:00百科推出 对称 封装

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