罗姆展出沟道型SiC制SBD和MOSFET,沟道,较低,电压,下称,以往, 罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和MOSFET。沟道型SBD的特点在于,与普通SiC制SBD相比二极管导通电压(以下称导通电压)较低。沟道型SBD的导通电压为0.5V,降到了以往1.2V的一半以下,低于Si制FRD(Fast Recovery Diode,快恢复二极管)的0.6V。 SBD尽管可通过改进电极金属及成膜条件来降低导通电压,但却存在漏电流变大的课题。此次在降低导通电压的同时,通过挖掘沟道后...
2011-10-12 00:00:00百科沟道 较低 电压