全新高密度沟槽MOSFET(安森美),推出,效应,沟槽,沟道,晶体管,全新高密度沟槽MOSFET(安森美)安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装, 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。新系列的MOSFET利用安森美半导体获市场验证的沟槽技术,提供优异的导通阻抗[RDS(on)]及更高的开关性能,...
2009-11-02 00:00:00百科推出 效应 沟槽