东芝推出紧凑型车用100V N沟道功率MOSFET

中国上海，2019年12月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。

MOSFET产品图

新产品是东芝首款［1］采用紧凑型SOP Advance（WF）封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗；XPH4R10ANB拥有业界领先的［2］低导通电阻。

应用：

・汽车设备

电源装置（DC-DC转换器）和LED头灯等（电机驱动、开关稳压器和负载开关）

特性：

・东芝的首款［1］100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance（WF）封装

・通过AEC-Q101认证

・低导通电阻：

RDS（ON）=4.1mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH4R10ANB）

RDS（ON）=6.3mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH6R30ANB）

・采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance（WF）封装

注释：

［1］ 截至2019年12月25日

［2］ 在同样规格的产品中，截至2019年12月25日。东芝调查。

计划出货推出东芝沟道

免责声明：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。