UnitedSiC发布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ,能和,值低,器件,逆变器,高效率,美国新泽西州普林斯顿 -- 新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。在这四款全新UF3C SiC FET器件中,一款产品额定电压值为650V,RDS(on...