华润微携手锐成芯微推出创新型eFlash解决方案

　　2020年5月27日，华润微电子有限公司（以下简称“华润微”）代工事业群旗下的无锡华润上华科技有限公司（以下简称“华润上华”）与成都锐成芯微科技股份有限公司（以下简称“成都锐成芯微”）宣布，双方联合推出高可靠性eFlash解决方案， 该方案基于华润上华0.153μm 5V EN CMOS工艺，并具有独特的成本优势。

　　华润微0.153μm 5V EN CMOS工艺平台由上一代明星工艺平台（0.18μm EN CMOS工艺平台）优化而来。优化后的工艺成本大大缩减，在未增加光刻层次的情况下，将N/P MOS沟道尺寸进一步缩小。该工艺平台器件种类多样，适用于MCU、LED显示屏、音频功放、DC-DC等多种应用场景。

　　成都锐成芯微的LogicFlash® IP具有显著的市场竞争优势，成本优、性能高、可靠性高，并兼容标准CMOS 平台。基于华润上华0.153μm 5V EN CMOS工艺平台，成都锐成芯微能同时提供高可靠性和高密度两个版本的LogicFlash® IP，高密度版本擦写次数可达10K，高可靠性版本擦写次数可达50K；两款IP读取速度可达25MHz，写入速度可达20μS/byte（超快的写入速度可满足终端客户各种应用场景下对高速读写的需求，并有效降低客户测试成本）；两款IP可在150℃ 结温下工作，满足125℃ 结温下10年的数据保持能力的要求，同时满足消费类和工业类产品需求。

　　基于华润微0.153μm 5V EN CMOS工艺平台，成都锐成芯微已完成高密度版本Logic Flash® IP的功能、性能和1000小时可靠性测试，以及高可靠性版本LogicFlash® IP的功能测试。目前，两个版本的IP均有客户使用并成功导入量产，客户反馈该技术方案相比其他解决方案具有高性价比、高灵活性等特点。

　　华润上华设计服务工程中心总监王浩表示：“0.153μm 5V EN CMOS工艺平台是公司近些年重点打造的基础工艺平台，其关键工艺参数（On-BV、ESD、Rdson）在业界处于领先地位。公司具备极具市场竞争力的数字单元库（缩小到60%）和SRAM（缩小到58%）。根据市场调研，公司发现其核心客户应用领域从功能单一的ASIC芯片向智能化可编程化的MCU类芯片发展，eNVM是MCU类芯片不可或缺的核心IP。此次与成都锐成芯微的合作，补齐了公司0.153μm 5V EN CMOS工艺平台缺少核心eNVM IP的短板，为客户提供了更高价值的服务，能够帮助客户提高产品竞争力。”

　　成都锐成芯微首席执行官向建军表示：“锐成芯微一直致力于eNVM IP的开发，通过不断加大研发投入，优化设计，确保在保持高性能的条件下，不断提升成本竞争力，满足客户对于eNVM IP的多样性需求。此次和华润上华在0.153μm 5V EN CMOS工艺平台的合作，也是为了更好地满足市场需求，为全球客户提供极具成本优势的高性能eNVM 技术。”

华润平台解决方案推出缩小

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