三星成功开发新型硅通孔（TSV）8 层技术的DDR5芯片

　　随着现代计算机能力的不断发展，推动着存储器件朝着更高性能的方向发展。DDR5作为DDR4的后继者，能支持更快的传输速率和更高的容量。近日，三星电子宣布成功开发DDR5芯片，可提供更强大、更可靠的性能，支持现代服务器不断增长的需求。

　　三星DDR5芯片采用新型的硅通孔（TSV） 8 层技术，与DDR4相比，该技术使得DDR5的单个芯片能够包含两倍的堆栈数量。每个双列直插式存储模块（DIMM）还提供高达512GB的存储空间。其数据传输速度高达4800 MT/s，专门用于处理繁重的工作负载。此外，三星DDR5还具有纠错码（ECC）电路，提高产品可靠性。

　　虽然，各大内存厂商纷纷推出了DDR5存储产品，但是真正要实现DDR5的普及平台的支持才是最大的问题。但是，目前还没有正式支持DDR5内存的平台，AMD预计会在2021年的Zen4处理器上更换插槽，支持DDR5内存，而Intel这边14nm及10nm处理器都没有明确过DDR5内存支持，官方路线图显示2021年的7nm工艺Sapphire Rapids处理器才会上DDR5，而且是首发服务器产品，消费级的估计还要再等等。

芯片通孔堆栈支持服务器

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