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美高森美推出新一代1200V非穿通型IGBT

2012-05-18 00:00:00

　　致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款产品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8™技术，与竞争解决方案相比，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件瞄准电焊机、太阳能逆变器和不间断与开关电源等应用。

　　美高森美新的分立元件产品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。这些器件可以单独提供，或者与任一美高森美的FRED或碳化硅肖特基(Schottky) 二极管组合封装提供，以便简化产品开发和制造。其它特性包括：

　　·相比竞争产品，栅极电荷(Qg)显著减少，具有更快的开关性能;

　　·硬开关运行频率大于80 KHz，实现更高效的功率转换;

　　·易于并联(Vcesat的正温度系数)，提升大功率应用的可靠性;以及

　　·额定短路耐受时间(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，在需要短路能力的应用中实现可靠运作

　　APT40GR120B晶体管采用TO-247封装，APT40GR120S采用表面安装D3 PAK封装，APT40GR120B2D30则是T-MAX® 封装器件，包含了一个30A反并联超快恢复二极管，采用美高森美的专有“DQ”系列低开关损耗、额定雪崩能量二极管技术制造。

　　供货

　　美高森美新型NPT IGBT中的最初两款产品已具有以上全部待征并已量产，可通过当地分销商或美高森美销售代表获取样品。