Diodes推出采用薄型DFN2020-6封装MOSFET

　　Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4毫米，占板面积只有四平方毫米，是一款额定电压为 -25V的P通道器件，体积较同类的器件纤薄50%。同系列另一采用DFN2020E封装的MOSFET则具有0.5毫米离板高度，较其他一般离板高度为0.6毫米的MOSFET纤薄20%。

　　DMP2039UFDE4针对负载开关应用，为电路设计人员提供3kV的电路保护，以免受人体本身的静电放电所影响。这些最新推出的MOSFET拥有低典型RDS（on） 的特性，例如 -12V P通道的DMP1022UFDE，在4.5V的VGS下只有13mΩ，使电池充电应用的传导损耗减至最少。

　　20V N通道的DMN2013UFDE在直流/直流降压及升压转换器内，成为理想的负载开关或高速开关，并提供2kV的高静电放电保护。DMN6040UFDE将会是首批采用DFN2020封装的高电压MOSFET之一，在60V的VDS下运行，并适合应用于系统微型化设计行业 （Small form-factor industrial） 及供热通风与空气调节系统 （HVAC） 控制。

　　新产品特别适合应用于极纤巧的便携式产品设计，例如智能手机、平板电脑及数码相机。首批MOSFET系列九款产品包括-12V、-20V、-25V、-40V的P通道MOSFET及12V、20V及60V的 N通道MOSFET器件。

　　如欲了解进一步产品信息，请浏览www.diodes.com。

封装通道推出板面四平

免责声明：本网信息来自于互联网，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。