超耐用LDMOS提升功率：恩智浦发布BLF188XR

　　中国上海，2013年8月13日讯 – 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克代码：NXPI）今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS 射频功率晶体管的最新成员。BLF188XR专为最严酷的工程环境而设计，真实条件下耐用性更强， 能够在5dB压缩点承受超过65：1驻波比的严重负载失配。BLF188XR能提供出色的1600 W峰值输出功率，其工作电压可高达60 V，并且仍能通过极为严格的耐用性测试。其他主要特性包括：更强大的集成ESD保护，能使BLF188XR用于C类操作模式；几种增强型功能，能使XR系列器件在多种应用中易于设计和调试。

　　BLF188XR另一项令人关注的特性是其卓越的线性度，该特性使BLF188XR成为高功率线性应用的极佳选择。BLF188XR非常适合频率范围小于300 MHz的大规模工业、科学和医疗（ISM）应用，而广受欢迎的BLF578XR系列的建议使用频率范围为500 MHz以内。恩智浦本周在2013年IEEE MTT-S国际微波研讨会（IMS 2013）上展示BLF188XR，要观看现场演示的相关视频，可点击该链接：http://v.youku.com/v_show/id_XNTY3NDU2MzY0.html

　　恩智浦半导体射频功率事业部市场总监Mark Murphy表示：“我们的‘超耐用’系列目前具有更强的耐用性，完全满足最苛刻的射频负载要求，并且采用恩智浦最新的高电压LDMOS技术，轻松超越VDMOS的性能、耐用性和可靠性。全新的BLF188XR借助BLF578XR的成功之处，扩展了我们的产品组合，并带来额外的耐用性、线性度、功率和简化设计。凭借作为ISM市场领先的射频功率产品供应商所创下的骄人业绩，我们已将BLF188XR设计为极具吸引力的解决方案，在激光器、MRI、射频照明和射频干燥以及VHF/FM广播发射机等各种低频应用。”

　　上市时间

　　合格客户现在可索取BLF188XR工程样品。

　　链接

　　· 视频：恩智浦超耐用LDMOS（BLF188XR、BLF184XR）：http://v.youku.com/v_show/id_XNTY3NDU2MzY0.html

　　· 恩智浦BLF188XR产品信息：http://www.cn.nxp.com/pip/BLF188XR

　　· 恩智浦射频手册（第17版）：http://www.nxp.com/rfmanual

　　关于恩智浦半导体

　　恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. （NASDAQ： NXPI） 致力于为智能世界提供安全互联的解决方案。基于高性能混合信号的专业性，恩智浦在汽车、智能识别和移动行业，以及无线基础设施、照明、医疗、工业、个人消费电子和计算等应用领域不断创新。公司在全球逾25个国家都设有业务执行机构，2012年公司营业额达到43.6亿美元。更多信息请登录www.nxp.com 查询。

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