失配

• 三线电阻式温度检测器测量系统中励磁电流失配的影响（1）

  

  三线电阻式温度检测器测量系统中励磁电流失配的影响（1），工业,检测器，系统,失配,温度,测量，三线电阻式温度检测器测量系统中励磁电流失配的影响（1）-许多医疗、过程控制和工业自动化应用都需要精确温度测量来实现其功能。电阻式温度检测器（RTD）在这些精确温度测量中通常用作传感元件，因为它们具有宽泛的温度测量范围、良好的线性度以及卓越的长期稳定性和可复验性。RTD是由金属制成的传感元件，在工作温度范围内具有可预测的电阻。可通过RTD注入电流并测...

  2021-11-10 09:40:00行业信息系统 失配 温度

• 硅集成电路的晶体管密度已接近极限?

  

  硅集成电路的晶体管密度已接近极限?，芯片，芯片,薄膜晶体管,密度,失配，为了解决两个器件层之间的电压失配问题，研究人员采用了顶部肖特基、底部欧姆的接触结构，在触点添加的肖特基门控薄膜晶体管和垂直薄膜二极管具有优良的开关性能。测试显示，在集成了高压薄膜晶体管后，基础硅芯片仍然可以工作。" /...

  2020-09-27 17:08:00行业信息芯片 薄膜晶体管 密度

• 超耐用LDMOS提升功率：恩智浦发布BLF188XR

  

  超耐用LDMOS提升功率：恩智浦发布BLF188XR，压缩，推出，提升，失配，浦发，　　中国上海，2013年8月13日讯 – 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克代码：NXPI）今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS 射频功率晶体管的最新成员。BLF188XR专为最严酷的工程环境而设计，真实条件下耐用性更强， 能够在5dB压缩点承受超过65：1驻波比的严重负载失配。BLF188XR能提供出色的160...

  2013-08-13 00:00:00百科压缩 推出 提升

• 50V RF LDMOS功率管MRFE6VP6300H FE

  

  50V RF LDMOS功率管MRFE6VP6300H FE，频率，失配，推出，卡尔，等离子体，飞思卡尔半导体日前推出一款RF LDMOS功率管，工作频率为1.8至600 MHz ，最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像（MRI）扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶体管，在电压驻波比（VSWR）为65:1的负载中提供 300 W CW的全额定输出功率。当射频功率管生成的最大功率到达天线时，所有固态射频功率放大器...

  2010-05-29 00:00:00百科频率 失配 推出

• MAX3946 1.0625Gbps至11.3Gbps、SF

  

  MAX3946 1.0625Gbps至11.3Gbps、SF，驱动器，失配，激光器，阻抗，Gbps，MAX3946 1.0625Gbps至11.3Gbps、SFP+激光器驱动器，容许激光器阻抗失配概述 The MAX3946 is a +3.3V， multirate， low-power laser diode driver designed for Ethernet and Fibre Channel transmission systems at data rates up to 11.3Gbps....

  2010-03-20 00:00:00百科驱动器 失配 激光器