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凌力尔特推出过压和过流保护器LTC4362
2010-06-28 00:00:00
LTC4362运用准确度为2%的5.8V过压门限检测过压事件,并在1us (最大值) 时间内快速响应,以隔离下游组件和输入。高达28V的过压保护由一个内部雪崩额定的低RDS(ON) MOSFET实现,而且在大多数应用中无需瞬态电压抑制器 (TVS) 或其它外部组件,就可承受电感电缆瞬态。此外,LTC4362监视一个内部电流检测电阻器两端的压降,以提供准确度为20%的1.5A过流门限。 LTC4362目标是具有多个电源选项的便携式电子产品,如通过交流和汽车电池适配器以及USB端口充电的蜂窝电话、MP3/MP4播放器、数码相机等。
LTC4362控制一个内部40mΩ N沟道MOSFET,以便在正常工作情况下提供一条从输入到负载的低损耗通路。浪涌电流限制由一个受控制的栅极电压转换率实现。如果输入端的电压超过 5.8V过压门限,那么GATE就在1us 内被拉低以保护负载。LTC4362具有由/ON引脚控制的软停机功能,而且为可选外部P沟道MOSFET提供一个栅极驱动输出,以实现电压反向保护。电源良好输出引脚指示栅极接通。LTC4362有两种版本可选:LTC4362-1在过流事件之后锁断,而LTC4362-2则在130ms延迟之后进行自动重试。在过压情况之后,两种版本都以一定的启动延迟自动重启。
LTC4362规定在整个商用和工业温度范围内工作,采用8引脚、2mm x 3mm DFN封装。评估版和样品已开始在线提供。LTC4362的千片批购价为每片1.60美元,并已开始按生产量供货。
性能概要:LTC4362
2.5V至5.5V工作
过压保护高达28V
内部40mΩ N沟道MOSFET和31mΩ RSENSE
就大多数应用而言雪崩额定的 MOSFET 无需输入电容器或 TVS
<1us 的过压断开时间,缓慢停机
准确度为2%的5.8V过压门限
准确度为20%的1.5A过流门限
采用1uF COUT,输入可承受高达±25kV 的HBM ESD
受控制的加电dV/dt限制浪涌电流
电压反向保护
电源良好输出
低电流停机 (1.5uA)
过流后锁断 (LTC4362-1) 或自动重试 (LTC4362-2)
采用8引脚 (2mm x 3mm) DFN封装
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