TI推出显著降低上表面热阻的功率MOSFET DualCoo

TI推出显著降低上表面热阻的功率MOSFET DualCool NexFET

日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提高 50%，并改进散热管理。

据TI中国区电源产品业务拓展工程师吴涛先生介绍，如下图所示，在传统的MOSFET板上面，从上面看上去是一整块的塑料，在DualCool上面有一块金属的表层，这个金属的表层好处就是能够让热量直接从顶层散发出去，最大的好处就是允许在这个MOSFET上面，比传统的MOSFET管散发更多的额外80%的功率。相对的来讲，在这个封装上面能够增加50%的电流。所以在这样的散热性能下来，能够使功率密度更加提高，而且也有利于把板的热量降下来，直接散发到空气当中。

吴涛先生表示，NexFET的技术是一种创新的技术。如下图所示， NexFET这种技术导电的渠道是横向加上纵向，经过一些特殊的处理，在纵向的沟道上减少纵向上的导通电阻，同时也缩小了门极的区域，所以才能够把门极的充电电荷减到非常小。

这种构造相对于平面结构能够提高功率，从结构上提高MOSFET管的密度，而且在降低门极的充电电荷同时，并没有牺牲导通电阻的性能，仍然能够达到很小的一个导通电阻，所以它是一个创新的MOSFET管的工艺技术。

该系列包含的 5 款 NexFET 器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器，同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的 MOSFET 可广泛用于各种终端应用，其中包括台式个人计算机、服务器、电信或网络设备、基站以及高电流工业系统等。

TI 高级副总裁兼电源管理全球经理 Steve Anderson 指出：“我们的客户需要具有更小体积和更高电流的 DC/DC 电源，以满足各种基础设施市场对处理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能够以不变的几何尺寸传输更多的电流，可充分满足这一需求。”

DualCool NexFET 功率 MOSFET 的主要特性与优势包括：作为单相35A 同步降压转换器的 MOSFET， 采用一个 MOSFET 即可满足高电流 DC/DC 应用中的高、低侧两种开关需求；增强型封装技术可将封装顶部热阻从10 ~ 15°C/每瓦降至1.2°C/每瓦，从而将该封装所能承受的功耗提升 80%；高效的双面散热技术可将允许通过 FET 的电流提高 50%，设计人员无需增加终端设备尺寸，即可高度灵活地使用需要更高电流驱动的处理器；业界标准 5 毫米 x 6 毫米 SON 封装可简化设计、降低成本，与使用两个标准5x6封装相比，可节省 30mm2的空间。
 
DualCool NexFET 器件现已开始批量供货。此外，还提供样片与应用手册。可通过以下链接查阅有关 TI NexFET MOSFET 与其它功率产品的更多信息：订购 NexFET 评估板与样片：www.ti.com.cn/mosfet-dcprcn ；DualCool NexFET 功率 MOSFET 的视频演示：www.ti.com.cn/dualcool-prvcn 。

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