FM25V10 新型F-RAM系列产品,具有高速读/写性能、

FM25V10 新型F-RAM系列产品,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性

世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速访问、无延迟(NoDelay) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1Mb串行闪存和串行EEPROM存储器的理想代替产品。此外，Ramtron已计划在2008年陆续推出SPI、I2C及并行接口V系列F-RAM产品。

Ramtron市场拓展经理Duncan Bennett解释道：“我们的V系列F-RAM产品能够满足客户对低工作电压及集成功能的需求，比如说减小板卡空间及降低装配成本和器件成本。我们的高密度F-RAM生产工艺已经扩展了产品的性能特性，使到V系列F-RAM产品可在很宽泛的电压范围工作。”

关于FM25V10

与串行闪存或串行EEPROM不同，FM25V10以总线速度执行写操作，无写入延迟，且数据能够立即写入存储器阵列。无需进行数据轮询即可开始下一个总线周期。相比串行闪存和串行EEPROM，FM25V10的耐用性高出8个数量级以上，所消耗的有效功率却不到其十分之一。

FM25V10具有高性能F-RAM功能，适用于要求频繁或快速数据写入或低功耗操作的非易失性存储器应用，应用范围从需要写入次数多的高频数据采集应用，到严苛的工业控制应用。而在这些应用中，串行闪存或EEPROM因?榍痹诘氖?据丢失风险，而并不适用。

FM25V10具有一个只读器件ID，可以通过一个独一无二的序列号和/或系统重置选项来命令它。器件ID提供有关制造商、产品密度和产品版本的信息。独特的序列号使主机拥有一个ID，以区别于世界上任何其它主机。系统重置选项可省去对外部系统重置部件的需要。

FM25V10可在-40°C至+85°C的工业温度范围工作，以40MHz SPI时钟速率运行时耗电仅为3mA，待机模式耗电仅为90uA，睡眠模式耗电更低至5uA。FM25V10的有功功耗为每MHz 38uA，其电流较同类串行闪存或EEPROM产品低一个数量级。

关于F-RAM V系列

Ramtron的V系列F-RAM产品采用Ramtron和德州仪器共同开发的公认的130nm CMOS生产工艺制造，包括各种并行、串行I2C和SPI存储器。先进的制造工艺能够提高产品的技术规格及扩展其功能集。Ramtron计划在2008年年底前推出的其它V系列产品将具有额外的SPI产品密度，以及I2C和并行接口。所有串行F-RAM V系列产品均具有可选器件的特性，包括独特的序列号和系统重置选项。

价格和供货

符合RoHS标准及8脚SOIC封装的FM25V10现已提供，查询价格详情，请与Ramtron 联络

性能器件集成存储器可选

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