反向恢复

• 什么是锗二极管，锗二极管的基本结构、性能参数、工作原理、应用示例、锗与硅二极管的区别及发展历程

  

  什么是锗二极管，锗二极管的基本结构、性能参数、工作原理、应用示例、锗与硅二极管的区别及发展历程，结构,工作原理,信号,区域,参考,反向恢复，锗二极管（Germanium Diode）是一种由锗（Ge）材料制成的AT93C66B-SSHM-T二极管。锗是一种常见的半导体材料，具有较低的禁带宽度（约0.67 eV），比硅（Si）更早被用于制造半导体器件。下面将对锗二极管的基本结构、性能参数、工作原理、应用示例、与硅二极管的区别以及发展历程进行详...

  2023-10-03 19:18:00电子技术结构 工作原理 信号

• 超快恢复技术低功耗二极管MURA110T3G

  

  超快恢复技术低功耗二极管MURA110T3G，反向恢复,恢复,产品,低功耗,功耗，MURA110T3G产品特点：1.超快恢复速度：MURA110T3G的超快恢复时间仅为25纳秒，可以实现快速开关和反向恢复。2.低反向恢复电荷：MURA110T3G的反向恢复电荷仅为5.5纳库仑，可以有效减少开关时的损耗和功耗，提高电路的效...

  2023-04-19 08:30:18电子技术反向恢复 恢复 产品

• 东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率

  

  东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率，东芝，反向恢复，支持，业界，产品，中国上海，2023年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。  TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与...

  2023-03-30 00:00:00百科东芝 反向恢复 支持

• Vishay推出的新型FRED Pt® 第五代600 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器符合AEC-Q101标准，且可显著降低反向恢复损耗

  

  Vishay推出的新型FRED Pt® 第五代600 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器符合AEC-Q101标准，且可显著降低反向恢复损耗，整流器，反向恢复，损耗，恢复，推出，　　15 A至 75 A器件提高电动汽车/混合动力汽车车载充电器AC/DC和DC/DC转换器效率　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年11月3日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出10款符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用的新型FR...

  2021-11-03 00:00:00百科整流器 反向恢复 损耗

• 开关元件工作有哪些注意事项

  

  开关元件工作有哪些注意事项，电路,晶体管，负载,反向恢复,有哪些,导致，关键要点 ・在重负载时，如果trr较长，则超前臂关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏MOSFET。 ・在PSFB电路中，在反向恢复期间体二极管的偏置电压几乎为0V，因此电荷释放速度变慢，最终导致trr变长。 ・在PSFB电路中使用trr小的MOSFET很重要。 ・即使是快速恢复型SJ MOSFET，其性能也会因制造商和产品系列而异，因此在选择时需要充分确认。 在...

  2021-10-29 09:51:00行业信息负载 反向恢复 有哪些

• 碳化硅在下一代工业电机驱动器中的作用

  

  碳化硅在下一代工业电机驱动器中的作用，损耗，反向恢复，作用，系统，驱动器，作者： 安森美半导体工业及云电源公司营销及战略高级经理Ali Husain国际能源署（IEA）估计，电机功耗占世界总电力的45%以上。因此，找到最大化其运行能效的方法至关重要。能效更高的驱动装置可以更小，并且更靠近电机，从而减少长电缆带来的挑战。从整体成本和持续可靠性的角度来看，这将具有现实意义。宽禁带（WBG）半导体技术的出现将有望在实现新的电机能效和外形尺寸基准方面发挥重要作用。使用WBG材料如碳化硅（SiC）可制造出性能超越硅...

  2021-04-27 00:00:00百科损耗 反向恢复 作用

• Vishay的新款第五代FRED Pt®600V Hyperfast和Ultrafast整流器具有极高的反向恢复性能

  

  Vishay的新款第五代FRED Pt®600V Hyperfast和Ultrafast整流器具有极高的反向恢复性能，整流器，性能，恢复，封装，反向恢复，15 A至 75 A器件提高汽车和工业应用AC/DC和DC/DC转换器效率。宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年3月31日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出10款新型第五代FRED Pt® 600 V Hyperfast和Ultrafast整流器。这些Vishay新款15 A、30...

  2021-04-01 00:00:00百科整流器 性能 恢复

• UnitedSiC推具有最低RDS（on）的DFN 8x8格式FET器件

  

  UnitedSiC推具有最低RDS（on）的DFN 8x8格式FET器件，反向恢复，驱动器，器件，损耗，负载，美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面贴装封装、同时具有业界最低RDS（on）的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，这些650V SiC FET能够取代已有的标准硅器件，使工程师可以采用比分立设计方法具有更高效率和更高功率密度的解决方案来构建开关电路。新发布的产品应用范围包括无线和电信系统中50～500KHz...

  2020-02-05 00:00:00百科反向恢复 驱动器 器件

• 安森美推出新的基于碳化硅的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器

  

  安森美推出新的基于碳化硅的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器，驱动器，损耗，隔离，用于，反向恢复，安森美半导体，将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术，提供低导通损耗和开关损耗，用于多方面的电源应用，包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用，如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器。该器件将硅基IGBT与SiC肖...

  2019-05-06 00:00:00百科驱动器 损耗 隔离

• 低功耗SiC二极管实现最高功率密度

  

  低功耗SiC二极管实现最高功率密度，反向恢复，温度，功率密度，可靠性，性能，相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体扩展了其650伏（V） SiC二极管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车（EV / HEV）充电器、电信电源和数据中心电源等各类应用的PFC和升压转换器时，往往面...

  2018-06-22 00:00:00百科反向恢复 温度 功率密度

• 采用ST F7 LV MOSFET技术的单片肖特基二极管:提高应用性能

  

  采用ST F7 LV MOSFET技术的单片肖特基二极管:提高应用性能，反向恢复，确保，应用性能，同步，性能，摘要 –当一个功率MOSFET管被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流管时，体漏二极管的特性以及品质因数将变得非常重要。当需要Qrr 数值很低的软反向恢复时，集成肖特基二极管的新60V ST “F7”功率MOSFET管确保能效和换向性能更加出色。I.前言在同步整流和电桥结构中，RDSon 和 Qg 两个参数并不是对功率MOSFET管的唯一要求，实际上，本征体漏二...

  2017-03-01 00:00:00百科反向恢复 确保 应用性能

• Vishay发布低外形封装的高性能SMD雪崩整流器BYG23T

  

  Vishay发布低外形封装的高性能SMD雪崩整流器BYG23T，整流器，反向恢复，封装，芯片，高压，　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 4 月17 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用DO-214AC封装的高压、超快表面贴装雪崩整流器---BYG23T。该器件将1.98mm的低外形、1300V的极高反向恢复电压和75ns的快速反向恢复时间集于一身。　　今天发布的整流器适用于开关电源(SM...

  2012-04-18 00:00:00百科整流器 反向恢复 封装

• 采用硅基工艺的Qspeed系列二极管

  

  采用硅基工艺的Qspeed系列二极管，波形，反向恢复，优化，性能，转换，　　Power Integrations公司日前宣布可立即供应先进的Qspeed系列二极管。Qspeed二极管采用独特的硅基工艺，兼具一个极低的反向恢复电荷(Qrr)和一个极软恢复波形。这些先进特性能够帮助设计师优化其电源转换电路的效率和EMI性能。Qspeed二极管非常适用于连续导通模式(CCM)升压式功率因数校正(PFC)电路，并在硬开关应用中用作输出二极管。在PFC电路中，Qspeed二极管可以提供与碳化硅(SiC)二极管一样的...

  2011-02-22 00:00:00百科波形 反向恢复 优化

• 英飞凌新一代CoolMOS CFD2超结器件

  

  英飞凌新一代CoolMOS CFD2超结器件，器件，英飞凌，反向恢复，规范，极低，　　随着功率密度不断提高，半桥(例如HID半桥或LLC)和全桥(例如ZVS全桥)等软开关拓扑成为理想的解决方案。由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的动态性能，采用这些拓扑可降低系统的开关损耗，提高可靠性。这种情况主要出现在轻载条件下。事实证明，CoolMOS这样的超结器件可以克服这个问题，由于其内部优化了反向恢复过程电荷载流子去除功能，并且消除内部寄生NPN双极晶体管的栓锁问题。通过增强注入载流子的结合率可大幅降低反...

  2011-02-14 00:00:00百科器件 英飞凌 反向恢复