耐压

• 耐压测试器的工作原理

  

  耐压测试器的工作原理，电路图,光电测量电路,耐压测试器的工作原理 测试器，耐压测试器的工作原理工作原理：测量电路如图1所示。变压器T的6V经D5整流、C3滤波后，提供调整管Q的基极电压。调整W可控制Q的导通程度。即控制集电极A点对电压在4V－1400V之间变化。高压绕组输出的500V电压，经C1、D1－D4组成的倍压整流电路整流，C2滤波输出1400V高压。测试时，被测器件接在A、B之间。W阻值调小，Q的基极电位下降，A点电位上升。直至毫安表指示出被测管的额定反向...

  2023-09-18 19:41:00电路图测试 工作原理 电路图

• 简易耐压测试器电路图

  

  简易耐压测试器电路图，电路图,电工基础电路图,简易耐压测试器电路图 简易耐压,测试器，以下是简易耐压测试器电路图：...

  2023-09-18 19:22:00电路图基础 电工 简易

• ROHM开发出45W输出、内置FET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2P06xMF-Z”

  

  ROHM开发出45W输出、内置FET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2P06xMF-Z”，京都市，日本，输出，封装，耐压，有助于降低工厂的安装成本并提高白色家电和工业设备的节能性和可靠性~全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）面向空调、白色家电、FA设备等配备交流电源的家电和工业设备领域，开发出内置730V耐压MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。近年来，家电和工业设备领域的AC/...

  2021-12-21 00:00:00百科京都市 日本 输出

• ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET

  

  ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET，底发，新一代，电阻，微细，耐压，~非常适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常适用于FA等工业设备和基站（冷却风扇）的电机驱动。近年来，为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入，MOSFET作为用于驱动的器件，需要具备考虑到电...

  2021-11-30 00:00:00百科底发 新一代 电阻

• ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

  

  ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”，推出，性能，行业，封装，耐压，~有助于大幅削减工厂的安装成本，并为工业设备提供更小型、更高可靠性及更节能的解决方案~全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向大功率通用逆变器、AC伺服、商用空调、路灯等工业设备，开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年来，随着节能意识的提高，在交流400V级工业设备领域，...

  2021-06-20 00:00:00百科推出 性能 行业

• ROHM开发出耐压高达80V、输出电流达5A的电源IC“BD9G500EFJ-LA”和“BD9F500QUZ”

  

  ROHM开发出耐压高达80V、输出电流达5A的电源IC“BD9G500EFJ-LA”和“BD9F500QUZ”，新功能，5A，耐压，基站，电源，～支持大功率，有助于5G通信基站和FA设备等先进工业设备实现更高的可靠性和性能～全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向处理大功率的5G通信基站和PLC、逆变器等FA设备，开发出两款实现高耐压和大电流的、内置MOSFET的降压型DC/DC转换器IC*1“BD9G500EFJ-LA”和“BD9F500QUZ”。近年来，在以5G通信基站和FA设备为首的先...

  2021-06-03 00:00:00百科新功能 5A 耐压

• Holtek推出耐压12V的两节锂电池充放电管理Flash MCU

  

  Holtek推出耐压12V的两节锂电池充放电管理Flash MCU，周边，封装，推出，搭配，耐压，Holtek推出耐压12V的两节锂电池充放电管理Flash MCU BP45F1430/BP45F1632，内建LDO与4路12V Gate Driver，其中2路互补式PWM实现5V/3A同步升压的恒流恒压充电管理，2路独立PWM用于马达调速、恒功率控制，搭配电压检测、OPA电流检测满足锂电池产品应用需求，安全性方面具备过压、过流保护电路，确保充放电安全同时也精简外部应用电路。BP45F1430/1632具...

  2021-01-11 00:00:00百科周边 封装 推出

• 芯力特量产70V耐压CAN With Flexible Data-Rate收发器芯片SIT1042

  

  芯力特量产70V耐压CAN With Flexible Data-Rate收发器芯片SIT1042，收发器，芯片，国内，模拟，耐压，芯力特自主研发SIT1042芯片是一款应用于CAN协议控制器和物理总线之间的高性能CAN With Flexible Data-Rate收发器芯片，可应用于卡车、公交、小汽车、工业控制等领域，总线耐压达到±70V以上，支持5Mbps CAN With Flexible Data-Rate灵活数据速率，具有在总线与CAN协议控制器之间进行差分信号传输的能力…… 近日，芯力特电子...

  2020-11-16 00:00:00百科收发器 芯片 国内

• ABLIC发布新型汽车LDO稳压器 具有全球最低的自耗电流

  

  ABLIC发布新型汽车LDO稳压器 具有全球最低的自耗电流，单元，汽车电子，控制，电流，耐压，ABLIC发布具有电压监控功能的S-19310/S-19315/S-19316系列汽车LDO稳压器具有全球最低（*1）的自耗电流、高耐压和高速电压监控功能，为制造具有超低电流消耗的汽车电子控制单元（ECU）提供助力日本千叶--（BUSINESS WIRE）--（美国商业资讯）--艾普凌科有限公司（ABLIC Inc.，总裁：石合信正，总部：千叶县千叶市）今天发布了具有电压监控功能的S-19310/S-19315/...

  2020-03-18 00:00:00百科单元 汽车电子 控制

• ROHM面向车载系统开发出200V耐压肖特基势垒二极管“RBxx8BM/NS200”

  

  ROHM面向车载系统开发出200V耐压肖特基势垒二极管“RBxx8BM/NS200”，传动系统，系统，系统开发，日本京都，耐压，全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），面向包括xEV在内的动力传动系统等车载系统，开发出200V耐压的超低IR※1肖特基势垒二极管※2（以下简称“SBD”）“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。RBxx8BM/NS200是RBxx8系列的新产品，该系列产品是可在高温环境下工作的超低IR...

  2019-08-27 00:00:00百科传动系统 系统 系统开发

• ROHM开发出80V级高耐压DC/DC转换器“BD9G341AEFJ”

  

  ROHM开发出80V级高耐压DC/DC转换器“BD9G341AEFJ”，耐压，基站，半导体，电流，电压，　　【ROHM半导体（上海）有限公司10月27日上海讯】　　全球知名半导体制造商ROHM面向需要大功率（高电压×大电流）的通信基站和工业设备领域，开发出耐压高达80V的MOSFET内置型DC/DC转换器 “BD9G341AEFJ”。　　BD9G341AEFJ”采用功率系统工艺0.6µm的高耐压BiCDMOS，作为非绝缘型DC/DC转换器，实现了...

  2015-10-28 00:00:00百科耐压 基站 半导体

• 瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET

  

  瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET，样品，结是，推出，耐压，仅为，　　瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下，降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET，但据瑞萨电子介绍，“RJL60S...

  2012-06-26 00:00:00百科样品 结是 推出

• 瑞萨600V耐压超结MOSFET 导通电阻仅为150mΩ

  

  瑞萨600V耐压超结MOSFET 导通电阻仅为150mΩ，芯片，结是，样品，耐压，出了，　　瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下，降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET，但据瑞萨电子介绍，“RJL60S5系...

  2012-06-26 00:00:00百科芯片 结是 样品

• 罗姆发布第二代SiC制MOSFET

  

  罗姆发布第二代SiC制MOSFET，可靠性，产品，公司，单位，耐压，　　罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品（图1）。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻，以及备有将SiC制肖特基势垒二极管（SBD）和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。　　可靠性方面，第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象，单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30％。　　此次除了单独封装SiC制MOSFET的“SC...

  2012-06-18 00:00:00百科可靠性 产品 公司

• 启攀微电子推出高性能锂电池充电保护芯片CP3216

  

  启攀微电子推出高性能锂电池充电保护芯片CP3216，芯片，推出，高性能，耐压，较低，　　启攀微电子(Chiphomer Technology Ltd)针对MT6253/6235/6238/6223充电脚耐压较低的特点，推出了一款高性能锂电池充电保护芯片CP3216，可同时兼容海外诺基亚充电器和国内充电器。其主要特性如下：　　输入过压保护： 10.5V (Typ)　　过压钳位功能：输入电压5.2V ~ 10.5V，钳位电压为5.2V　　电池过压保护　　内部集成P-MOSFET　　内置过热保护电路　　快速过压...

  2010-12-13 00:00:00百科芯片 推出 高性能