256 kbit(32 k x 8)F-RAM内存,内存,引脚,读取,预充电,操作,内存地址,特征 :256 Kbit铁电随机存取存储器(F-RAM)逻辑组织为32k×8高耐久性100万亿(1014)读/写151年数据保留期(见数据保留和耐久表)nodelay写入页面模式操作先进的高可靠性铁电工艺SRAM兼容工业标准32 K×8 SRAM引脚70 ns访问时间,140 ns周期时间优于电池支持的SRAM模块无电池问题单片可靠性真正的表面贴装...
2023-06-08 01:29:00电子技术内存 引脚 读取