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NXP推出全新2x2 mm无铅分立封装
2010-06-04 00:00:00
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出两种拥有0.65 mm的行业最低高度新2 mm x 2 mm小信号分立无铅封装。通过具有良好的热性能和导电性的无遮蔽散热片，塑料SMD（表面封装器件）封装的使用寿命得到了提高，并提供3引线（SOT1061）和6引线（SOT1118）两个版本。新产品包括26款FET-KY、双P通道MOSFET、低VCesat晶体管和肖特基整流器 ，最高功耗Ptot 2.1 W。该性能大致与行业标准封装SOT89（SC-62）相当，但是只占用一半的电路板空间。
SOT1061和SOT1118封装中不含卤素与氧化锑，并符合耐燃性等级UL 94V-0和RoHS标准。
采用SOT1118封装的双P通道MOSFET/ FET-KY（PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, PMDPB65UP）
全新SOT1118封装的两款20V/3A FET-KY（集成了低VF的肖特基二极管）和一款20 V双P沟道MOSFET将于六月底发布。
提供额外的1 kV（HBM）防静电（ESD）保护，提高了ESD强健性。
在带有ESD保护的20V级别的产品中，新的FET-KY（PMFPB6532UP和PMFPB6545UP）导通电阻为业界最低，栅极电压（VGS）4.5 V下额定电阻为80毫欧。而为了提高能效，在电流1A时其正向导通电压（VF）也同样为业界最低，分别为365 mV和520 mV。双P沟道MOSFETPMDPB65UP在4.5V的VGS 下拥有低至70毫欧的导通电阻，是高效电源管理应用的理想选择。
全新SOT1061封装的14款高效低VCEsat晶体管符合其作为突破性小信号（BISS）晶体管的称号：6A电流下的超低饱和电压低至200mV，相当于只有33毫欧的RCEsat。
涵盖了12V～100V的全部电压范围，新的PBSS*PA系列集电极电流（ICM）峰值高达7A。
便于客户采用SOT1061封装产品代替大尺寸封装的晶体管，从而在更小的占位面积上达到相同的性能。
采用SOT1061封装的低VF肖特基整流器（PMEG*EPA系列）
恩智浦半导体公司的PMEG*EPA肖特基整流器，不仅具备低正向压降，而且拥有高正向电流，是该类器件中第一款置于无铅中功率SOT1061封装中的产品。
五个符合AEC-Q101标准的的单一类型，平均正向电流高达2A，反向电流在 20V和60V之间。并将在今年六月新增四个1A和2A的双整流器。
集成的保护环用于应力保护，与市场上其他同类产品相比，拥有更高的性能和效率。
上市时间
SOT1061和SOT1118中所有新的分立器件样品可立即用于应用设计。SOT1061中的低VCesat（BISS）晶体管和低VF单肖特基整流器已经可以接受订购。SOT1118封装的恩智浦 P沟道MOSFET和FET-KY产品线以及SOT1061封装的双肖特基整流器将在今年六月底批量供货。
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