首页 / 百科
Maxim推出SiGe下变频混频器MAX19998
2010-03-20 00:00:00
Maxim推出SiGe下变频混频器MAX19998
Maxim推出带有片内LO缓冲器的完全集成、2300MHz至4000MHz、下变频混频器MAX19998。器件采用Maxim专有的单片SiGe BiCMOS工艺设计,在极宽的工作带宽内具有无与伦比的线性度和噪声性能,以及极高的元件集成度。单片IC提供完全集成的下变频通道,具有24.3dBm (典型值) IIP3、8.7dB (典型值)转换增益以及9.7dB (典型值)噪声系数。此外,MAX19998具有业内最佳的2RF - 2LO杂散抑制(-10dBm RF幅度时为67dBc、-5dBm RF幅度时为62dBc)。该器件专为4G无线基础设施应用而设计,这类应用中高线性度和低噪声系数对增强接收器的灵敏度和抗阻塞性能至关重要。器件支持3.1GHz至3.9GHz LTE和WiMAX™基站中的高端和低端LO注入架构;MAX19998还可配置为2.3GHz至2.9GHz LTE、WiMAX和MMDS高端LO注入架构。
MAX19998作为完备的SiGe下变频器,集成了一路业内领先的混频器核、2个放大器、2个非平衡变压器以及多个分立元件。器件的8.7dB转换增益省去了接收通道中的整个IF放大器。MAX19998优异的2RF - 2LO性能还简化了相邻谐波分量的滤波要求,使滤波器的设计更为简单且性价比更高。器件集高度的集成特性与优异的性能于一体,使下变频器方案尺寸减小了一半,分立元件数量减少了34%。
MAX19998提供紧凑的5mm x 5mm、20引脚TQFN封装,与MAX19996 (2000MHz至3000MHz单路混频器)和MAX19996A (2000MHz至3900MHz单路混频器)引脚兼容。器件还与MAX9993/MAX9994/MAX9996 (1700MHz至2200MHz混频器)和MAX9984/MAX9986 (400MHz至1000MHz混频器)引脚类似。该系列下变频器非常适合多个频段采用相同PCB布局的应用。
MAX19998中文资料,pdf,2300MHz至4000MHz下变频混频器
最新内容
手机 |
相关内容
重庆东微电子推出高性能抗射频干扰
重庆东微电子推出高性能抗射频干扰MEMS硅麦放大器芯片,芯片,推出,算法,抑制,音频,信号,重庆东微电子有限公司最近推出了一款高性能DigiKey 推出《超越医疗科技》视频
DigiKey 推出《超越医疗科技》视频系列的第一季,推出,医疗科技,健康,需求,产品,诊断,全球供应品类丰富、发货快速的现货技术元器件光耦仿真器简介和优势
光耦仿真器简介和优势,仿真器,参数,接收器,设计方案,耦合,器件,光耦仿真器是一种用于模拟光耦合器件的工具,它可以帮助工程师在设计苹果即将推出Mac系列新品,或搭载3nm
苹果即将推出Mac系列新品,或搭载3nm M3芯片,芯片,搭载,推出,全新,市场,研发,近日,有关苹果即将推出新一代Mac系列产品的消息引起了广英特尔不应该担心英伟达Arm架构的P
英特尔不应该担心英伟达Arm架构的PC芯片?恰恰相反,芯片,英伟达,英特尔,调整,研发,推出,英特尔目前是全球最大的半导体公司之一,主要以射频前端芯片GC1103在智能家居无线
射频前端芯片GC1103在智能家居无线通信IoT模块中应用,模块,芯片,无线通信,智能家居,支持,数据交换,射频前端芯片GC1103是一种低功耗安森美宣布其Hyperlux 图像传感器
安森美宣布其Hyperlux 图像传感器系列已集成到瑞萨R-Car V4x平台,平台,到瑞,集成,图像,汽车制造商,辅助功能,安森美(ON Semiconducto有史以来最快的半导体“超原子”能
有史以来最快的半导体“超原子”能将芯片速度提升千倍,芯片,提升,可靠性,运动,结构,集成度,在半导体技术的发展历程中,有一项被称为