氮化

• 小米11携55W氮化镓充电器全球上市，纳微氮化镓技术走向世界

  

  小米11携55W氮化镓充电器全球上市，纳微氮化镓技术走向世界，上市，氮化，慢速，小米，充电器，全球领先的充电体验，源于小米手机首款标配纳微GaNFast氮化镓充电器。爱尔兰都柏林（PRWeb）：纳微半导体今天宣布，其氮化镓（GaN）功率芯片已正式被小米55W氮化镓充电器采用（型号MDY-12-EQ），该充电器在小米11手机智能手机海外上市时，随机附赠。 小米11是全球首款采用高通骁龙 888芯片的5G智能手机，拥有6.81英寸康宁新一代大猩猩玻璃的 AMOLED屏幕和1440p分辨率，以及4600 毫安时...

  2021-03-15 00:00:00百科上市 氮化 慢速

• 氮化镓功率晶体管价格降至1美元以下

  

  氮化镓功率晶体管价格降至1美元以下，美元，跌至，氮化，晶体管，降至，这一关键里程碑标志着氮化镓在全球范围内被迅速采用安大略省渥太华， 2021年3月9日 - （亚太商讯） - GaN（氮化镓）功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。 这些晶体管通常用于智能手机和笔记本电脑以及各种消费品和工业应用的氮化镓充电器和AC适配器。 随着全球众多消费者，企业和工业市场客户的产量提高，GaN Systems预计氮化镓晶体管的价格会进一步降低。使用氮化镓...

  2021-03-12 00:00:00百科美元 跌至 氮化

• 纳微半导体新一代氮化镓功率芯片NV6128问世，全新额定电压650V/800V的大功率

  

  纳微半导体新一代氮化镓功率芯片NV6128问世，全新额定电压650V/800V的大功率，芯片，额定电压，提升，氮化，半导体，　　纳微半导体宣布新一代氮化镓功率芯片NV6128问世，承载功率增加66%，加速进军高功率市场。加速淘汰慢速硅芯片，抢占市场爱尔兰都柏林（PRWeb）： 纳微半导体今天正式宣布，新一代氮化镓功率芯片NV6128问世，作为一款全新额定电压650V / 800V的大功率GaNFast功率芯片，NV6128将满足大功率移动设备和消费类电力电子市场的需求，加速淘汰旧的慢速硅芯片，抢占高功率充...

  2021-02-19 00:00:00百科芯片 额定电压 提升

• 2021年有望掀起氮化镓快充热潮

  

  2021年有望掀起氮化镓快充热潮，usb,苹果,充电器,快充，外包,台积电,原因,氮化，台积电为何会破天荒的将制程外包给一家LED厂？原来背后原因是明年将掀起的「氮化镓快充」热潮。" /...

  2020-12-23 08:57:00行业信息外包 台积电 原因

• Nexperia（安世半导体）宣布推出新一代650V氮化镓 (GaN) 技术

  

  Nexperia（安世半导体）宣布推出新一代650V氮化镓 (GaN) 技术，数据中心，推出，封装，器件，氮化，新一代氮化镓技术针对汽车、5G 和数据中心等应用；新器件采用了传统的TO-247封装和创新的铜夹片贴片封装CCPAK。半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数，...

  2020-06-11 00:00:00百科数据中心 推出 封装

• Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

  

  Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA，推出，器件，市场，氮化，功率，　　成熟耐用的工艺、产能可扩展、可批量应用。　　奈梅亨，2019 年 11 月 19 日：分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管（GaN）市场。这款器件非常耐用，栅极电压 （VGS） 为 +/- 20 V，工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻（最大RD...

  2019-11-22 00:00:00百科推出 器件 市场

• Navitas联合Baseus倍思推出全球最小充电器——GaNFast 2C1A

  

  Navitas联合Baseus倍思推出全球最小充电器——GaNFast 2C1A，推出，三口，充电器，氮化，最小，　　Navitas Semiconductor与Baseus合作推出采用GaNFast（氮化镓）功率IC技术的65W“2C1A”三口移动充电器，该充电器集全球最小、最轻、便携性于一体。　　　　GaNFast 2C1A充电器在仅有3.2 x 3.6 x 7.5厘米（86 cc）的外壳尺寸和120g的重量下提供三个快速充电输出，其尺寸和重量仅为基于硅设计的充电器的一半，创造...

  2019-10-30 00:00:00百科推出 三口 充电器

• OPPO 65W SuperVOOC和 30W 无线VOOC闪充 技术亮点全揭晓！

  

  OPPO 65W SuperVOOC和 30W 无线VOOC闪充 技术亮点全揭晓！，适配器，产品,亮点,氮化,首次，2019年9月17日，OPPO正式发布最大充电功率为65W的SuperVOOC 2.0、VOOC 4.0以及最大充电功率为30W的无线VOOC闪充。据OPPO闪充团队负责人张加亮介绍，SuperVOOC2.0将率先在10月发布的RenoAce中首次搭载，并将在OPPO K5产品中首次商用VOOC4.0。 OPPO此次发布三款产...

  2019-09-18 16:53:00行业信息产品 亮点 氮化

• Navitas受邀“上汽大众”路演 创新型氮化镓技术脱颖而出

  

  Navitas受邀“上汽大众”路演 创新型氮化镓技术脱颖而出，自动驾驶，路演,上汽,驾驶,氮化，Navitas受邀“上汽大众”路演 创新型氮化镓技术脱颖而出-纳微半导体今天宣布受邀参加上汽大众站“Winnovation：Wins In Innovation”路演，该路演于2019年6月28日举行。"...

  2019-07-31 16:22:00行业信息路演 上汽 驾驶

• GaN在射频领域有哪些优势?

  

  GaN在射频领域有哪些优势?，射频，有哪些,射频,是一种,氮化，氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。" /...

  2019-07-23 17:42:00行业信息有哪些 射频 是一种

• 为什么这么多人看好氮化镓?

  

  为什么这么多人看好氮化镓?，半导体，氮化,这么多人,半导体,宽度，GaN属于第三代高大禁带宽度的半导体材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等前辈相比，其在特性上优势突出。" /...

  2019-07-01 15:16:00行业信息氮化 这么多人 半导体

• Qorvo新增适合Ka频段和X频段应用的GaN功率放大器

  

  Qorvo新增适合Ka频段和X频段应用的GaN功率放大器，适合，频段，功率放大器，相控阵，氮化，Qorvo今日宣布，发布两款全新的氮化镓（GaN）功率放大器（PA）系列产品--- QPA2212和QPA1022，它们适合国际Ka频段的卫星通信应用与X频段的相控阵雷达应用。这些解决方案提供的功率、线性度和效率可达到行业最高水平，且体积更小，因此这两款器件既能提高系统性能，又能降低成本。QPA2212适用于Ka频段应用，可使宽带多载波系统的线性度达到行业最高水平。该功率放大器在27-31Ghz频段内提供20瓦...

  2019-06-21 00:00:00百科适合 频段 功率放大器

• 支持瓦特到千瓦级应用的氮化镓技术

  

  支持瓦特到千瓦级应用的氮化镓技术，半导体，支持,氮化,半导体,毫无疑问，毫无疑问，氮化镓在半导体竞争中处于领先地位，可用于超级电源开关。" /...

  2019-05-31 15:35:00行业信息支持 氮化 半导体

• 法国一公司研发出一个生产高性能氮化镓MicroLED显示屏的新工艺 将更简单且更高效

  

  法国一公司研发出一个生产高性能氮化镓MicroLED显示屏的新工艺 将更简单且更高效，MicroLED，研发,一公司,方法,氮化，法国一公司研发出一个生产高性能氮化镓MicroLED显示屏的新工艺 将更简单且更高效-据报道，法国研究机构Leti of CEA Tech研发出一个生产高性能氮化镓Micro LED显示屏的新工艺。相比现有方法，这项新工艺更简单且更高效。"...

  2019-05-17 15:14:00行业信息研发 一公司 方法

• RAVPower发布新款USB PD充电器 内置GaN氮化镓功率器件

  

  RAVPower发布新款USB PD充电器 内置GaN氮化镓功率器件，器件，氮化，充电器，这款，很高，近日，RAVPower发布了一款USB PD充电器新品，这款充电器内置了时下关注度很高的GaN氮化镓功率器件，这在业内被称为第三代半导体。而导入到充电器中，将会给体积带来显著变化，帮助到快充实现轻薄化、小型化。通过官方描述页面可见，RAVPower 45W GaN充电器采用USB-C口输出，正反可插。电压档位非常丰富，具备了5V/2.4A、5V/3A、9V/3A、15V/3A、20V/2.25A等输出规格...

  2018-12-01 00:00:00百科器件 氮化 充电器

• 纳微半导体 (Navitas) 在重要亚洲电子会议上 展示氮化镓(GaN) 功率IC

  

  纳微半导体 (Navitas) 在重要亚洲电子会议上 展示氮化镓(GaN) 功率IC，亚洲，中国，年会，氮化，半导体，在CPSSC 2017 现场展示世界最小的笔记本适配器纳微 (Navitas) 半导体宣布，将在11月3号到6号在上海举办的中国电源学会学术年会(CPSSC) 上展示最新的氮化镓(GaN)功率IC及其应用。纳微首席技术官兼首席运营官Dan Kinzer表示：“CPSSC是亚洲电力电子行业重要的技术会议，共有450多份同行评议的技术论文和1000多名来自行业和学术界的与会者。 中...

  2017-10-30 00:00:00百科亚洲 中国 年会

• MACOM引入全新300W塑封氮化镓功率晶体管，实现射频能量商业应用质的飞跃

  

  MACOM引入全新300W塑封氮化镓功率晶体管，实现射频能量商业应用质的飞跃，市场，医疗系统，市场部，氮化，射频，　　中国上海，2016年6月2日 – 领先的高性能模拟射频、微波、毫米波和光波半导体产品供应商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”)日前宣布推出其针对大规模固态射频能量商业应用而优化的全新塑封300W硅基氮化镓功率晶体管产品MAGe-102425-300。借助于第四代氮化镓(GaN)的技术优势，全新的MAGe-10...

  2016-06-03 00:00:00百科市场 医疗系统 市场部

• TriQuint半导体推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管

  

  TriQuint半导体推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管，推出，公司，芯片，产品，氮化，　　技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30-37W （CW）射频输出功率。它们是商业通信和测试设备系统等类似的宽带系统应用的理想选择。　　TriQuint新...

  2012-12-18 00:00:00百科推出 公司 芯片

• RFMD推出RFHA104x系列高功率氮化镓HEMT功率放大器

  

  RFMD推出RFHA104x系列高功率氮化镓HEMT功率放大器，芯片，推出，优化，氮化，功率放大器，　　RFMD 的新型 RFHA104x 系列高功率氮化镓 （GaN） 宽频功率晶体管 （BPT） 经过优化，适用于军事通信、商用无线基础设施和普通应用。由于采用了为满足高峰均比应用而优化的先进的 65V 高功率密度氮化镓 （GaN） 半导体工艺，这些高性能放大器可在单个放大器设计和宽频率范围内提供高效率和平坦增益、从而实现了高功率。每个放大器都采用了气腔陶瓷方式封装的输入匹配氮化镓 （GaN ） 晶体管，可...

  2012-11-13 00:00:00百科芯片 推出 优化

• Vishay发布应用于国防和航天的新款QPL氮化钽薄膜片式电阻

  

  Vishay发布应用于国防和航天的新款QPL氮化钽薄膜片式电阻，测试，芯片，推出，氮化，电阻，　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月1 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出通过QPL MIL-PRF-55342测试的新款表面贴装片式电阻---E/H (Ta2N) QPL，保证可靠性达到100ppm的“M”级失效率。新的E/H (Ta2N) QPL电阻使用耐潮的氮化钽...

  2012-11-01 00:00:00百科测试 芯片 推出

• MACOM引入全新300W塑封氮化镓功率晶体管，实现射频能量商业应用质的飞跃

  

  MACOM引入全新300W塑封氮化镓功率晶体管，实现射频能量商业应用质的飞跃，市场，医疗系统，市场部，氮化，射频，　　中国上海，2016年6月2日 – 领先的高性能模拟射频、微波、毫米波和光波半导体产品供应商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”)日前宣布推出其针对大规模固态射频能量商业应用而优化的全新塑封300W硅基氮化镓功率晶体管产品MAGe-102425-300。借助于第四代氮化镓(GaN)的技术优势，全新的MAGe-10...

  2016-06-03 00:00:00百科市场 医疗系统 市场部

• TriQuint半导体推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管

  

  TriQuint半导体推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管，推出，公司，芯片，产品，氮化，　　技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30-37W （CW）射频输出功率。它们是商业通信和测试设备系统等类似的宽带系统应用的理想选择。　　TriQuint新...

  2012-12-18 00:00:00百科推出 公司 芯片

• RFMD推出RFHA104x系列高功率氮化镓HEMT功率放大器

  

  RFMD推出RFHA104x系列高功率氮化镓HEMT功率放大器，芯片，推出，优化，氮化，功率放大器，　　RFMD 的新型 RFHA104x 系列高功率氮化镓 （GaN） 宽频功率晶体管 （BPT） 经过优化，适用于军事通信、商用无线基础设施和普通应用。由于采用了为满足高峰均比应用而优化的先进的 65V 高功率密度氮化镓 （GaN） 半导体工艺，这些高性能放大器可在单个放大器设计和宽频率范围内提供高效率和平坦增益、从而实现了高功率。每个放大器都采用了气腔陶瓷方式封装的输入匹配氮化镓 （GaN ） 晶体管，可...

  2012-11-13 00:00:00百科芯片 推出 优化

• Vishay发布应用于国防和航天的新款QPL氮化钽薄膜片式电阻

  

  Vishay发布应用于国防和航天的新款QPL氮化钽薄膜片式电阻，测试，芯片，推出，氮化，电阻，　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月1 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出通过QPL MIL-PRF-55342测试的新款表面贴装片式电阻---E/H (Ta2N) QPL，保证可靠性达到100ppm的“M”级失效率。新的E/H (Ta2N) QPL电阻使用耐潮的氮化钽...

  2012-11-01 00:00:00百科测试 芯片 推出