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非对称

  • 非对称式多谐振荡器电路

    非对称式多谐振荡器电路

    非对称式多谐振荡器电路,电路图,信号处理电子电路图,非对称式多谐振荡器电路 非对称,多谐振荡器,非对称式多谐振荡器是对称式多谐振荡器的简化形式[图6.4.6]。这个电路只有一个反馈电阻和一个耦合电容。反馈电阻使的静态工作点位于电压传输特性的转折区,就是说,静态时,的输入电平约等于,的输出电平也约等于。因为的输出就是的输入,所以静态时也被迫工作在电压传输特性的转折区。图6.4.6 非对称是多谐振荡器电路...

    2023-09-18 22:19:00电路图非对称 电路图 信号处理

  • 可输入非对称方波的倍频器

    可输入非对称方波的倍频器

    可输入非对称方波的倍频器,电路图,信号处理电子电路图,可输入非对称方波的倍频器 倍频器,可输入非对称方波的倍频器...

    2023-09-18 20:59:00电路图非对称 电路图 输入

  • 浅谈非对称算法与数字签名

    浅谈非对称算法与数字签名

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    2022-09-03 14:53:00行业信息嵌入式 算法 非对称

  • 贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT赋能4G和5G通信应用

    贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT赋能4G和5G通信应用

    贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT赋能4G和5G通信应用,封装,评估,非对称,5G,4G,  2021年8月23日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Qorvo® QPD0011高电子迁移率晶体管 (HEMT)。此碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 晶体管性能优异,可为5G大规模MIMO、LTE和WCDMA系统中的蜂窝基站和射频应用提供支持。  贸泽电子备货的Qorvo QPD0011是...

    2021-08-23 00:00:00百科封装 评估 非对称

  • team上线“远程同乐”功能 支持非对称VR内容

    team上线“远程同乐”功能 支持非对称VR内容

    team上线“远程同乐”功能 支持非对称VR内容,,支持,同乐,非对称,发现,team上线“远程同乐”功能 支持非对称VR内容-Steam最近发布了一项“远程同乐(Remote Play Together)”的功能,该功能将支持允许用户联网体验本地多人游戏。这一功能同时支持非对称VR内容,你可以用头显进行游戏,而朋友则作为第二玩家远程控制你的PC。RoadtoVR的Ben Lang用非对称VR游戏《Panoptic》进行了实验,发现这一功能...

    2019-11-22 09:23:00行业信息支持 同乐 非对称

  • 区块链+大数据的背后是什么

    区块链+大数据的背后是什么

    区块链+大数据的背后是什么,大数据,大数据,区块链,非对称,价值,区块链+大数据的背后是什么-区块链+大数据两种看似牛马不相及的技术,却在解决数据分散、非对称持有方面有着更多价值,可以更好实现互联网信息的互联互通。"...

    2019-07-24 14:20:00行业信息大数据 区块链 非对称

  • Vishay发布高性能非对称双片TrenchFET® MOSFET

    Vishay发布高性能非对称双片TrenchFET® MOSFET

    Vishay发布高性能非对称双片TrenchFET® MOSFET,非对称,器件,封装,组合,功率密度,宾夕法尼亚、MALVERN , 2014 年 2 月7 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装,使用TrenchFET® Gen IV技术的新款30V非对称双片TrenchFET 功率MOSFET---SiZ340DT。Vishay Siliconix Si...

    2014-02-10 00:00:00百科非对称 器件 封装

  • Vishay推出业内首款通过汽车电子元件标准AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET

    Vishay推出业内首款通过汽车电子元件标准AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET

    Vishay推出业内首款通过汽车电子元件标准AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET,封装,非对称,芯片,认证,推出,  非对称封装优化低边MOSFET的RDS(on),在同步DC/DC转换器中可节省空间  宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N...

    2013-12-13 00:00:00百科封装 非对称 芯片

  • 爱特梅尔公司扩展CryptoAuthentication产品组合

    爱特梅尔公司扩展CryptoAuthentication产品组合

    爱特梅尔公司扩展CryptoAuthentication产品组合,公司,扩展,解决方案,非对称,算法,  微控制器及触摸技术解决方案的领导厂商爱特梅尔公司(Atmel® Corporation)宣布扩展CryptoAuthentication™产品组合,增添使用椭圆曲线(ECC)非对称密匙算法的ATECC108 解决方案。  Atmel ATECC108解决方案具有先进的安全功能,支持某些来自美国国家标准与技术研究院(National Institute of Standards an...

    2013-07-18 00:00:00百科公司 扩展 解决方案

  • Vishay推出双向非对称(BiSy)单线ESD保护二极管--VCUT07B1-HD1

    Vishay推出双向非对称(BiSy)单线ESD保护二极管--VCUT07B1-HD1

    Vishay推出双向非对称(BiSy)单线ESD保护二极管--VCUT07B1-HD1,非对称,推出,容量,器件,封装,  宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 6 月25 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出具有14pF低容量的新款双向非对称(BiSy)单线ESD保护二极管--- VCUT07B1-HD1,该器件采用超小LLP1006-2L封装。  凭借1.0mm x 0.6mm的小占位面积和0.3...

    2012-06-25 00:00:00百科非对称 推出 容量

  • 飞兆推低侧高双功率芯片非对称N沟道模块

    飞兆推低侧高双功率芯片非对称N沟道模块

    飞兆推低侧高双功率芯片非对称N沟道模块,芯片,模块,侧高,非对称,封装,  通过减少封装寄生效应来降低功耗,在更高的工作频率上提供更高的效率  随着功率需求增加以便为高密度嵌入式DC-DC电源提供更多的功能,电源工程师面临着在较小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率的挑战。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低侧高双功率芯片非对称N沟道模块FDPC8011S,帮助设计人员应对这一系统挑战。  FDPC8011S专为更高的开关频率的应用...

    2012-05-11 00:00:00百科芯片 模块 侧高

  • 飞思卡尔Vybrid控制器为显示和多媒体设计树立新标准

    飞思卡尔Vybrid控制器为显示和多媒体设计树立新标准

    飞思卡尔Vybrid控制器为显示和多媒体设计树立新标准,非对称,多重处理,多媒体,显示,核心,  创新的非对称式多重处理架构平台将ARM® Cortex™-A与Cortex™-M核心进行无缝集成,降低了工业应用的复杂性和成本,同时提高了系统的安全性  飞思卡尔半导体公司(NYSE: FSL)日前宣布了Vybrid 控制器解决方案的最新产品组合,其设计旨在极大地简化具有丰富人机接口(HMI)和连接、以及确定性实时控制和响应功能的应用的开发。Vybrid器件在一个独特的非对称式...

    2012-03-28 00:00:00百科非对称 多重处理 多媒体

  • 飞兆半导体开发出功率级非对称双MOSFET模块FDMS36xxS

    飞兆半导体开发出功率级非对称双MOSFET模块FDMS36xxS

    飞兆半导体开发出功率级非对称双MOSFET模块FDMS36xxS,模块,非对称,公司,半导体,功率,  为了帮助设计人员应对这些挑战,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET模块。  FDMS36xxS系列器件在PQFN封装中结合了控制和同步MOSFET,以及一个肖特基体二极管。这些器件的开关节点已获内部连接,能够轻易进行同步降压转换器的布局和走线。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET)(Q2)经专门设计,...

    2011-06-15 00:00:00百科模块 非对称 公司

  • Vishay推出非对称双通道TrenchFET功率MOSFE

    Vishay推出非对称双通道TrenchFET功率MOSFE

    Vishay推出非对称双通道TrenchFET功率MOSFE,推出,非对称,双通道,封装,首款,日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET --- SiZ710DT,新器件比前一代器件的导通电阻减小43%,同时具有更高的最大电流并提高效率。SiZ710DT在一个小尺寸封装中整合了低边和高边MOSFET,具有业界同类器件中最低的导通电阻,比D...

    2010-11-25 00:00:00百科推出 非对称 双通道

  • L6591 软开关非对称半桥拓扑集成控制器芯片

    L6591 软开关非对称半桥拓扑集成控制器芯片

    L6591 软开关非对称半桥拓扑集成控制器芯片,芯片,控制器,集成,非对称,电源管理,L6591 软开关非对称半桥拓扑集成控制器芯片,全新电源管理(PWM)控制器电源整流和管理芯片的世界领先厂商意法半导体推出一款全新电源管理(PWM)控制器L6591,这是业内首款为零压开关非对称半桥拓扑电源转换器专门优化的控制器芯片。零压开关转换器可以让电源的尺寸变得更小,成本更低,不论是待机还是全负荷工作,能效得到显著提高,并降低热量排放和功率损耗。 L6591用于离线电源,集成了控制软开关半桥转换器所需的全部功能模块...

    2008-10-09 00:00:00百科芯片 控制器 集成

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