碳化硅功率晶体的发展方向及驱动电压限制,电阻,晶体管,电压,驱动,条件,高压,临界,补偿,传统上在高压功率晶体的设计中,采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻,必须采用超级结技术(superjunction),利用电荷补偿的方式使磊晶层(Epitaxial layer)内的垂直电场分布均匀,有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。但是采用超级结技术的高压功率晶体,其最大耐压都在1000V以下。如果要能够耐更高的电压,就必须采用碳化硅材料来制造功...
2021-11-02 09:50:00行业信息条件 高压 临界