平面

• 一种将质子加速对撞的高能物理设备，英文名称为LHC。

  

  一种将质子加速对撞的高能物理设备，英文名称为LHC。，质子，物理设备,加速器,地下,平面，LHC包含了一个圆周为27公里的圆形隧道，因当地地形的缘故位于地下50至150米之间。这是先前大型电子正子加速器所使用隧道的再利用，隧道本身直径三米，位于同一平面上，并贯穿瑞士与法国边境，主要的部分大半位于法国。" /...

  2019-04-28 17:49:00行业信息物理设备 加速器 地下

• Xilinx 20nm与16nm平面产品扩展

  

  Xilinx 20nm与16nm平面产品扩展，xilinx,soc,zynq，产品,平面,扩展,节点，Xilinx 在其丰富的产品系列中，制定积极的发展路线图，贯穿旗下三大产品类别，而且每个类别均可支持和加强上一代产品发展，致力于继续保持领先一代的地位。 Xilinx 推出 UltraScale+ 的最新产品，进一步扩大了 UltraScale 架构的应用，其可简化平面节点与 FinFET 节点之间的移植。" /...

  2019-04-25 14:57:00行业信息产品 平面 扩展

• 基本半导体发布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

  

  基本半导体发布高可靠性1200V碳化硅MOSFET，平面，阈值，性能，碳化硅，流电，近十年来，第三代半导体技术已趋于成熟。碳化硅作为第三代半导体器件的重要代表，已在工业、汽车以及国防军工等领域有着广泛应用。基本半导体紧跟时代步伐，采用国际领先的碳化硅设计生产工艺，推出国内首款通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET，助推国内第三代半导体技术发展。基本半导体1200V 碳化硅MOSFET结构图基本半导体1200V 碳化硅MOSFET采用平面栅碳化硅工艺，结合元胞镇流电阻设计，开发出了短路耐受时间长...

  2019-01-17 00:00:00百科平面 阈值 性能

• 光刻机知识解读

  

  光刻机知识解读，芯片,大规模集成电路,平面,图像,知识，光刻机不光是制造芯片用。一张平面(不论硅片还是什么材料)想刻出繁复的图案，都可以用光刻——就像照相，图像投在感光底片上，蚀掉一部分。半个多世纪前，美国人用这个原理“印刷”电路，从而有了大规模集成电路——芯片。为了节能和省硅料，芯片越做越小，...

  2018-12-12 10:47:03电子技术芯片 大规模集成电路 平面

• 小米8 SE测评：小尺寸大屏幕

  

  小米8 SE测评：小尺寸大屏幕，竖排，指纹识别，设计理念，平面，曲面，在 小米 8 周年发布会中，除了拥有 “主角光环” 之外的 小米 8 ，小米还发布了款更小尺寸的 小米 8 SE 。小米 8 SE 除了拥有更小的机身之外，同时还首发 骁龙 710 处理器。在 骁龙 710 的加持下，小米 8 SE 究竟又会有如何的表现呢？设计s在外观设计上 小米 8 SE 整体延续了 小米 8 的设计理念，同样采用 “异形刘海” 全面屏设计、后置竖排式后置双摄、后置指纹...

  2018-06-22 00:00:00百科竖排 指纹识别 设计理念

• Vishay推出采用平面封装的新款小型栅极驱动变压器，可显著节省空间

  

  Vishay推出采用平面封装的新款小型栅极驱动变压器，可显著节省空间，空间，推出，平面，封装，栅极，器件的占位为20.57mm x 18.42mm x 11.43mm，最小爬电和电气间隙为8mm。宾夕法尼亚、MALVERN — 2018 年 3 月7 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列小型栅极驱动变压器---MGDT，可在高功率的国防和航天、工业及医疗应用中显著节省空间。Vishay Custom M...

  2018-03-07 00:00:00百科空间 推出 平面

• 格罗方德半导体推出业内首个22nm FD-SOI工艺平台

  

  格罗方德半导体推出业内首个22nm FD-SOI工艺平台，平台，功耗，推出，物联网，平面，　　中国上海，2015年7月14日格罗方德半导体（GLOBALFOUNDRIES）今日发布一种全新的半导体工艺，以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。　　虽然某些设备对三维FinFet晶体管的终极性能有要求，但大多数无线设备需...

  2015-07-14 00:00:00百科平台 功耗 推出

• ARM与台积电携手完成16nm FinFET工艺测试

  

  ARM与台积电携手完成16nm FinFET工艺测试，台积电，芯片，测试，平面，结构，　　对于英特尔来说，要想在移动芯片市场多分得一杯羹，就需要借助其更加先进的制造能力的优势。而今日宣布的新款Atom SoCs——举例来说——即基于22nm的3D或“三栅极晶体管”工艺。与传统的（基于平面晶体管结构的）芯片相比，新架构使得芯片可以在较低的电压水平上，更有效率地运作——在降低能耗的同时，更能延长系统的续航时间。　　...

  2014-02-25 00:00:00百科台积电 芯片 测试

• IMEC开发新型电介质,推动20nm NAND Flash进一步微缩

  

  IMEC开发新型电介质，推动20nm NAND Flash进一步微缩，混合，平面，结构，比利时，进制，　　比利时微电子研究中心IMEC的研究人员们已经开发出一种纳米级的氧化铝铪电介质（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，这种具氮化硅/氮化钛混合浮闸的闸间电介质可用于平面 NAND Flash 结构中，并可望推动NAND flash在20nm及其以下先进制程进一步微缩。　　IMEC表示，这种高-k/低-k/高-k的三层结构能够让数据具有”出色的保留与持久性“。虽然IMEC并未明...

  2013-06-26 00:00:00百科混合 平面 结构

• 博通公司推出高集成度、低功耗交换机控制平面处理器SoC

  

  博通公司推出高集成度、低功耗交换机控制平面处理器SoC，处理器，平面，博通，集成度，低功耗，　　北京，2013年5月14日 － 全球有线和无线通信半导体创新解决方案的领导者博通（Broadcom）公司（Nasdaq：BRCM）宣布，推出全新的高集成度、低功耗控制平面处理器SoC产品系列，该系列针对中小型企业和企业网络进行了优化。StrataGX™ BCM58525系列配备双核ARM®Cortex-A9处理器，运行频率高达1.2 GHz，具有出色的性能和安全功能，可用于中小型企业的云服务...

  2013-05-15 00:00:00百科处理器 平面 博通

• 英特尔3d三栅极晶体管设计获年度科技创新奖

  

  英特尔3d三栅极晶体管设计获年度科技创新奖，英特尔，平面，年度，结构，类别，　　近日公布2011年“科技创新奖”，英特尔的3-D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3-D三栅极晶体管结构代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。这项革命性成果，其关键在于英特尔能够把全新的3-D三栅极晶体管设计投入批量生产，开启了摩尔定律的又一个新时代，并且为各种类型的设备的下一代创新打开了大门。　　《华尔街日报》在2011年科技创新奖的报告中，如此评价这项技术：“英特尔凭借...

  2011-10-23 00:00:00百科英特尔 平面 年度

• Aerotech推出线性双轴工作台ANT130-XY

  

  Aerotech推出线性双轴工作台ANT130-XY，性双，平面，推出，行程，性能，Aerotech 日前已推出在高达 160 x 160 毫米的行程提供纳米级性能的线性双轴工作台。此款新型 ANT130-XY 工作台可在两维平面上行驶，具有 85 毫米的出色低断面设计。由于每轴都具有高分辨率（1 nm）、高重复精度（75 nm）和高定位精度（250 nm），这些工作台可以极高的定位稳定度和平稳的运动支持所有需要纳米定位性能的应用。　　ANT130-XY 工作台设计用于范围宽广的研发和制造领域，包括数据存...

  2011-09-16 00:00:00百科性双 平面 推出

• IR推出坚固的新型平面MOSFET系列

  

  IR推出坚固的新型平面MOSFET系列，平台，公司，平面，推出，整流器，　　国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)近日推出新的车用MOSFET系列，适合要求低导通电阻的一系列应用，包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。　　IR坚固的新型平面器件提供低导通电阻，适合电压介于40V和75V之间的各种表面贴装器件 (SMD) 和通孔封装。这些新器件中，AUIRL1404S是40V逻辑电平栅级驱动MOSFET，其它器件都是搭载40V、55V和...

  2011-07-12 00:00:00百科平台 公司 平面

• Tensilica推出数据平面和DSP处理器Xtensa LX4 DPU

  

  Tensilica推出数据平面和DSP处理器Xtensa LX4 DPU，处理器，平面，推出，数据，数据信号，　　Tensilica日前宣布以其面向密集计算数据平面和DSP(数据信号处理器)如成像、视频、网络和有线/无线基带通信的处理器IP巩固了其在IP内核领域地位，任何需要庞大数据处理的应用都将极大都受益于这些突破性功能――通过内建Tensilica面向SOC的Xtensa? LX4数据平面处理器(DPU)可以将这些应用数据带宽提高4倍!　　新的Xtensa LX4 DPU支持更高的本地数据存储位宽，最...

  2011-04-01 00:00:00百科处理器 平面 推出

• 士兰微电子推出新款F-CellTM系列高压MOSFET

  

  士兰微电子推出新款F-CellTM系列高压MOSFET，高压，产品，推出，研发，平面，　　士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品——F-CellTM系列高压MOSFET。这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品，工作电压可以覆盖400V—900V区间，工作电流在1A—18A之间，可以兼容多晶稳压管结构以提高ESD特性;具有高可靠性，高效率，高EAS能力，导通电阻低，动态参数优等特点，已被广泛应用于LED 照明、AC-DC功率电...

  2011-03-28 00:00:00百科高压 产品 推出

• FD-SOI元件与FinFET接近实用化的不断发布

  

  FD-SOI元件与FinFET接近实用化的不断发布，实用，通道，平面，的是，空乏， 22nm以后的晶体管技术领域，靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通道中添加杂质，易于控制特性的不均现象，因而成了22nm以后晶体管技术的有力候选。而且前者还具有能够采用与此前相同的电路布局进行设计的特点。后者虽要求采用新的电路布局及工艺技术，但有望比前者更加容易实现微细化（高集成化）。两种技术以...

  2011-01-18 00:00:00百科实用 通道 平面

• FPD-LinkII芯片组在汽车上的应用方案

  

  FPD-LinkII芯片组在汽车上的应用方案，芯片组，业界，方案，平面，美国，在传统的显示系统设计中，绘图控制器或绘图处理器(GPU)会传送有像素时钟和同步信号对齐的并行RGB颜色位，这些信号使用TTL电平，信号线有二十多条，在远程的LCD显示器连接中，有时会因缆线太厚，或者电源和EMC(电磁兼容性)等问题而导致并行总线不能超过20cm～30cm的长度。为解决这个问题，美国国家半导体在90年代的中期与当时领导业界的TFT面板供货商一起研发了串行解串器(SerDes)FPD-Link(平面显示器-链接)芯片...

  2011-01-14 00:00:00百科芯片组 业界 方案

• 22nm后的晶体管技术领域 平面型FD－SOI元件与基于立体

  

  22nm后的晶体管技术领域 平面型FD－SOI元件与基于立体，平面，通道，晶体管，的是，空乏，22nm以后的晶体管技术领域，靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通道中添加杂质，易于控制特性的不均现象，因而成了22nm以后晶体管技术的有力候选。而且前者还具有能够采用与此前相同的电路布局进行设计的特点。后者虽要求采用新的电路布局及工艺技术，但有望比前者更加容易实现微细化（高集成化）。...

  2010-06-23 00:00:00百科平面 通道 晶体管

• FPD-LinkII芯片组在汽车上的应用方案

  

  FPD-LinkII芯片组在汽车上的应用方案，芯片组，业界，方案，平面，美国，在传统的显示系统设计中，绘图控制器或绘图处理器(GPU)会传送有像素时钟和同步信号对齐的并行RGB颜色位，这些信号使用TTL电平，信号线有二十多条，在远程的LCD显示器连接中，有时会因缆线太厚，或者电源和EMC(电磁兼容性)等问题而导致并行总线不能超过20cm～30cm的长度。为解决这个问题，美国国家半导体在90年代的中期与当时领导业界的TFT面板供货商一起研发了串行解串器(SerDes)FPD-Link(平面显示器-链接)芯片...

  2011-01-14 00:00:00百科芯片组 业界 方案

• 22nm后的晶体管技术领域 平面型FD－SOI元件与基于立体

  

  22nm后的晶体管技术领域 平面型FD－SOI元件与基于立体，平面，通道，晶体管，的是，空乏，22nm以后的晶体管技术领域，靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通道中添加杂质，易于控制特性的不均现象，因而成了22nm以后晶体管技术的有力候选。而且前者还具有能够采用与此前相同的电路布局进行设计的特点。后者虽要求采用新的电路布局及工艺技术，但有望比前者更加容易实现微细化（高集成化）。...

  2010-06-23 00:00:00百科平面 通道 晶体管