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  • 顺络磁性器件应用于大功率SiC双向DC-DC转换器

    顺络磁性器件应用于大功率SiC双向DC-DC转换器

    顺络磁性器件应用于大功率SiC双向DC-DC转换器,顺络电子,器件,电网,损耗,负载,顺络磁性器件应用于大功率SiC双向DC-DC转换器-引言   以GaN, SiC为代表的第三代半导体发展迅速,在5G通信,快充,轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域迅速普及。特别是SiC半导体材料,与传统Si材料相比,具有更高的临界雪崩击穿场强、更大的导热系数和更宽的禁带,宽禁带技术大幅降低了特定负载下的开关损耗和传导损耗,改善了散热...

    2022-09-16 13:56:00行业信息器件 电网 损耗

  • Vishay推出新款FRED Pt®第五代Hyperfast和Ultrafast恢复整流器,大幅降低导通和开关损耗

    Vishay推出新款FRED Pt®第五代Hyperfast和Ultrafast恢复整流器,大幅降低导通和开关损耗

    Vishay推出新款FRED Pt®第五代Hyperfast和Ultrafast恢复整流器,大幅降低导通和开关损耗,Vishay,损耗,恢复,整流器,推出,Vishay推出新款FRED Pt®第五代Hyperfast和Ultrafast恢复整流器,大幅降低导通和开关损耗-600 V 和 1200 V 器件,提高汽车、太阳能和 UPS 应用效率   宾夕法尼亚、 MALVERN — 202 2 年 9 月 13 日 — 日前,Vishay I...

    2022-09-13 14:33:00行业信息损耗 恢复 整流器

  • MPS如何通过BCD工艺及高性能数字电源解决方案降低能源损耗

    MPS如何通过BCD工艺及高性能数字电源解决方案降低能源损耗

    MPS如何通过BCD工艺及高性能数字电源解决方案降低能源损耗,MPS,数字电源,控制器,数字,能源,解决方案,损耗,MPS如何通过BCD工艺及高性能数字电源解决方案降低能源损耗-今年是我国碳达峰碳中和相关工作全面铺开的第二年,对低碳减排的考量也将成为电子产业发展规划中不可或缺的重要一环。"...

    2022-09-06 14:24:00行业信息数字 能源 解决方案

  • 瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和输出功率的目的

    瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和输出功率的目的

    瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和输出功率的目的,瑞能半导体,SiC MOSFET,电压,变换器,碳化硅,提升,能半,变换器,损耗,相比于硅基高压器件,碳化硅开关器件拥有更小的导通电阻和开关损耗。电力电子系统需要辅助电源部分用来驱动功率器件,为控制系统及散热系统等提供电源。额定电压1700V的SiC MOSFET为高压辅助电源提供了设计更简单,成本更低的解决方案。" /...

    2022-08-01 14:18:00行业信息提升 能半 变换器

  • 富昌电子SiC设计分享(三):SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比

    富昌电子SiC设计分享(三):SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比

    富昌电子SiC设计分享(三):SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比,寄生电容,损耗,分享,高频,周期,富昌电子(Future Electronics)一直致力于以专业的技术服务,为客户打造个性化的解决方案,并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域,富昌电子结合自身的技术积累和项目经验,落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考,并期待与您进一步的交流。 前两篇文章我们分别探讨了SiC MOSFET的驱动电压,以及SiC器件驱动设计中的寄生导通...

    2022-07-07 00:00:00百科寄生电容 损耗 分享

  • 意法半导体推出先进STripFET F8 技术

    意法半导体推出先进STripFET F8 技术

    意法半导体推出先进STripFET F8 技术,二极管,意法半导体,MOSFET晶体管,推出,损耗,转换,电机控制, 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗,同时优化体寄生二极管特性,降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。" /...

    2022-06-24 16:40:00行业信息推出 损耗 转换

  • 电容器热设计中的近似电子元件价格关系影响

    电容器热设计中的近似电子元件价格关系影响

    电容器热设计中的近似电子元件价格关系影响,损耗,状态,情况,热流,热源,电容器热设计涉及的问题比较复杂,除了电容器内的热源较多(电场作用下,产生热的不只是工作介质,还有极板,引线,辅助介质等)外,电容器内部的IC导热情况和热流方向错综复杂,介质的损耗角正切和电导随工作状态的变化,各部分能量损耗随诸多因素(散热系...

    2022-04-18 20:09:57电子技术损耗 状态 情况

  • 瑞能半导体推出第三代G3肖特基二极管

    瑞能半导体推出第三代G3肖特基二极管

    瑞能半导体推出第三代G3肖特基二极管,电源适配器,肖特基二极管,瑞能半导体,能半,推出,能力,损耗,瑞能G3 SBD 肖特基二极管,采用最新的 TMBS 技术,实现超低VF和较小漏电流的完美组合,更低的正向导通压降VF,意味着更低的功率损耗,提升系统的效率,更低的漏电流,最高的结温可达150℃,并具有较强的正向浪涌冲击能力。" /...

    2022-04-11 14:17:00行业信息能半 推出 能力

  • 如何确认光纤链路有损耗以及损耗大小

    如何确认光纤链路有损耗以及损耗大小

    如何确认光纤链路有损耗以及损耗大小,光纤传感器,衰减器,光纤链路,昊衡科技,光纤,损耗,链路,传感器, 近期,昊衡科技进行OFDR设备传感测量时,对用户碰到的共性问题:“若光纤链路有损耗,能否进行应变温度测量”,整理了一份测试经验报告,分享给大家。" /...

    2022-04-06 17:35:00行业信息光纤 损耗 链路

  • 英飞凌推出采用D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET,进一步降低应用损耗并提高可靠性

    英飞凌推出采用D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET,进一步降低应用损耗并提高可靠性

    英飞凌推出采用D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET,进一步降低应用损耗并提高可靠性,英飞凌,封装,性能,损耗,推出,【2022年3月31日,德国慕尼黑讯】在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下,电力消耗日益增加。与此同时,提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下全球发展大势并满足相关市场需求,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点,能够...

    2022-03-31 00:00:00百科英飞凌 封装 性能

  • 东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率

    东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率

    东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率,东芝,功耗,推出,损耗,开关电源,  中国上海,2022年3月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。    与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比,TPH9R0...

    2022-03-31 00:00:00百科东芝 功耗 推出

  • 详解无功补偿的概念及意义

    详解无功补偿的概念及意义

    详解无功补偿的概念及意义,无功补偿,设备,电力,补偿,需求,用户,损耗,详解无功补偿的概念及意义-在我们的日常生活中,电力是不可或缺的一部分。随着生活水平的不断提高,我们的用电需求也越来越大。在电力系统中,电力用户需要电力系统供给大量无功功率。无功功率会致使电网功率因数下降,增大电能损耗。因此,在电力用户中,提高功率因数,减少无功电力消耗,对节能降耗具有十分重要的意义。"...

    2022-03-17 15:21:00行业信息补偿 需求 用户

  • MOS管的米勒效应、开关损耗及参数匹配

    MOS管的米勒效应、开关损耗及参数匹配

    MOS管的米勒效应、开关损耗及参数匹配,MOS管,MOSFET,三极管,参数,三极管,效应,损耗,MOS管即场效应管(MOSFET),属于压控型,是一种应用非常广泛的功率型开关元件,在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见,是电力电子的核心元件。" /...

    2022-02-16 16:38:00行业信息参数 三极管 效应

  • L-com诺通发布一系列新型光纤衰减器

    L-com诺通发布一系列新型光纤衰减器

    L-com诺通发布一系列新型光纤衰减器,光纤,测试,衰减器,光纤,测试,安装,损耗,在许多情况下,需要降低光信号的功率电平,以便通过临时增加校准信号损耗量,来测试功率电平裕度,或者也可以通过安装衰减器,以正确匹配发射机和接收机电平。" /...

    2021-12-24 16:40:00行业信息光纤 测试 安装

  • 电源EMI滤波器插入损耗IL的影响

    电源EMI滤波器插入损耗IL的影响

    电源EMI滤波器插入损耗IL的影响,输入滤波器,电源,emi,滤波器,损耗,输入,专用,电源EMI滤波器插入损耗IL的影响-电源EMI滤波器,就是为了解决电源的EMI问题的谐波过滤装置。加装电源EMI滤波器之后,可以过滤电源中的EMI谐波,解决电源中的EMI谐波导致的干扰、损坏用电设备等问题,同时,电源EMI滤波器还可以抑制谐波源产生的EMI谐波,解决与谐波源使用同一电源网络的其它用电设备无法正常工作、频繁损坏等问题。像MLAD-V-SR变...

    2021-11-30 18:08:00行业信息滤波器 损耗 输入

  • 高速PCB损耗性能的影响分析

    高速PCB损耗性能的影响分析

    高速PCB损耗性能的影响分析,pcb,PCB设计,性能,损耗,信号传输,选择,摘要: 降低信号的传输损耗对于保证高速PCB的电气性能至关重要,文章采用矢量网络分析仪分析了高速板材、铜箔类型、玻纤布类型、阻焊油墨、粗化药水、表面处理工艺等材料及加工工艺的选择对高速PCB的损耗性能的影响强弱,探讨了如何降低高速PCB的插入损耗,可为高速PCB的选材和加工工艺设计提供参考。 关键词:高速电路板;高速材料;加工工艺;插入损耗;信号完整性 0引言 随...

    2021-11-23 16:39:00行业信息性能 损耗 信号传输

  • 未来氮化镓的价格很有可能大幅下降

    未来氮化镓的价格很有可能大幅下降

    未来氮化镓的价格很有可能大幅下降,传感器,芯片,半导体,芯片,传感器,高压,损耗,氮化镓和碳化硅一样,不断地挑战着硅基材料的物理极限,多用于电力电子、微波射频领域,在电力电子的应用中,氮化镓的禁带宽度是硅基材料的3倍,同时反向击穿电压是硅基材料的10倍,与同等电压等级的硅基材料相比,氮化硅的导通电阻更低,电源开关损耗也更低,电能的转换效率也有所提升。在微波射频领域,由于氮化镓在电场下具有较高的电子速度,因此电流密度较高,加之氮化镓又具有耐高...

    2021-11-17 09:03:00行业信息芯片 传感器 高压

  • RFID资产管理的优势—新导智能

    RFID资产管理的优势—新导智能

    RFID资产管理的优势—新导智能,RFID技术,RFID,数据信息,智能,数据,损耗,办理,RFID资产管理的优势—新导智能-在固定财物办理事务中,固定财物从物资收购部分直接领用,或经工程竣工后转入出产投运,构成固定财物。在用固定财物,经技能更新改造进行了更换,由一个出产现场更换到别的一个出产现场,有些固定财物则因事故或自然损耗要进行作废处理。企业的固定财物事务细分种类繁多,技能更新快导致固定财物改变更换快。企业的固定财物在以往财物办理事务...

    2021-11-10 10:50:00行业信息智能 数据 损耗

  • 为混合动力车辆(HEV)和电动车辆(EV)内的电子元器件供电

    为混合动力车辆(HEV)和电动车辆(EV)内的电子元器件供电

    为混合动力车辆(HEV)和电动车辆(EV)内的电子元器件供电,电动汽车,电子元器件,车辆,模式,损耗,低压,为混合动力车辆(HEV)和电动车辆(EV)内的电子元器件供电-混合动力车辆 (HEV) 和电动车辆 (EV) 电力电子元器件被设计用来在正常工作模式下,将电能从高压电池 (400V/600) 提供给低压电池 (12V)。此外,这些汽车电力电子元器件必须能够进行双向的DC/DC转换,以便在紧急状态下,当HEV/EV需要启动升压时,由低压...

    2021-11-10 09:40:00行业信息车辆 模式 损耗

  • Vishay推出的新型FRED Pt® 第五代600 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器符合AEC-Q101标准,且可显著降低反向恢复损耗

    Vishay推出的新型FRED Pt® 第五代600 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器符合AEC-Q101标准,且可显著降低反向恢复损耗

    Vishay推出的新型FRED Pt® 第五代600 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器符合AEC-Q101标准,且可显著降低反向恢复损耗,整流器,反向恢复,损耗,恢复,推出,  15 A至 75 A器件提高电动汽车/混合动力汽车车载充电器AC/DC和DC/DC转换器效率  宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年11月3日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出10款符合AEC-Q101标准,适用于汽车应用的新型FR...

    2021-11-03 00:00:00百科整流器 反向恢复 损耗

  • 未来氮化镓的价格很有可能大幅下降

    未来氮化镓的价格很有可能大幅下降

    未来氮化镓的价格很有可能大幅下降,传感器,芯片,半导体,芯片,传感器,高压,损耗,氮化镓和碳化硅一样,不断地挑战着硅基材料的物理极限,多用于电力电子、微波射频领域,在电力电子的应用中,氮化镓的禁带宽度是硅基材料的3倍,同时反向击穿电压是硅基材料的10倍,与同等电压等级的硅基材料相比,氮化硅的导通电阻更低,电源开关损耗也更低,电能的转换效率也有所提升。在微波射频领域,由于氮化镓在电场下具有较高的电子速度,因此电流密度较高,加之氮化镓又具有耐高...

    2021-11-17 09:03:00行业信息芯片 传感器 高压

  • RFID资产管理的优势—新导智能

    RFID资产管理的优势—新导智能

    RFID资产管理的优势—新导智能,RFID技术,RFID,数据信息,智能,数据,损耗,办理,RFID资产管理的优势—新导智能-在固定财物办理事务中,固定财物从物资收购部分直接领用,或经工程竣工后转入出产投运,构成固定财物。在用固定财物,经技能更新改造进行了更换,由一个出产现场更换到别的一个出产现场,有些固定财物则因事故或自然损耗要进行作废处理。企业的固定财物事务细分种类繁多,技能更新快导致固定财物改变更换快。企业的固定财物在以往财物办理事务...

    2021-11-10 10:50:00行业信息智能 数据 损耗

  • 为混合动力车辆(HEV)和电动车辆(EV)内的电子元器件供电

    为混合动力车辆(HEV)和电动车辆(EV)内的电子元器件供电

    为混合动力车辆(HEV)和电动车辆(EV)内的电子元器件供电,电动汽车,电子元器件,车辆,模式,损耗,低压,为混合动力车辆(HEV)和电动车辆(EV)内的电子元器件供电-混合动力车辆 (HEV) 和电动车辆 (EV) 电力电子元器件被设计用来在正常工作模式下,将电能从高压电池 (400V/600) 提供给低压电池 (12V)。此外,这些汽车电力电子元器件必须能够进行双向的DC/DC转换,以便在紧急状态下,当HEV/EV需要启动升压时,由低压...

    2021-11-10 09:40:00行业信息车辆 模式 损耗

  • Vishay推出的新型FRED Pt® 第五代600 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器符合AEC-Q101标准,且可显著降低反向恢复损耗

    Vishay推出的新型FRED Pt® 第五代600 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器符合AEC-Q101标准,且可显著降低反向恢复损耗

    Vishay推出的新型FRED Pt® 第五代600 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器符合AEC-Q101标准,且可显著降低反向恢复损耗,整流器,反向恢复,损耗,恢复,推出,  15 A至 75 A器件提高电动汽车/混合动力汽车车载充电器AC/DC和DC/DC转换器效率  宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年11月3日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出10款符合AEC-Q101标准,适用于汽车应用的新型FR...

    2021-11-03 00:00:00百科整流器 反向恢复 损耗

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